MSKSEMI NTS2101PT1G-MS NTS2101PT1G

NTS2101PT1G-MS — малогабаритный MOSFET с P-каналом и режимом обогащения. Номинальное напряжение сток–исток (Vdss): 20 V. Непрерывный ток стока (Id): 1.5 A. Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 90 mΩ при VGS=4.5 V. Пороговое напряжение (Vgs(th)): около 0.6 V при тестовом токе 250 μA; для P-канала требуется отрицательное напряжение затвор–исток. Полный заряд затвора (Qg): 4.8 nC при VGS=4.5 V. Входная ёмкость (Ciss): 350 pF; выходная ёмкость (Coss): 65 pF; ёмкость обратной передачи (Crss/Crss): 50 pF. Рассеиваемая мощность (Pd): 312 mW. Рабочая температура: -55℃–+150℃. Корпус SOT-323-3 (SOT-323).

Применяется в качестве ключа верхнего плеча, для выбора линии питания, защиты от обратной полярности, управления питанием портативных устройств и в маломощных преобразователях DC-DC.

Для снижения температуры увеличьте площадь медных проводников у корпуса и соедините её переходными отверстиями с внутренними плоскостями питания или земли. При непрерывной работе рассчитайте потери RDS(on)*I^2 и проверьте их соответствие Pd и ограничениям температуры перехода. Для включения P-канального MOSFET напряжение затвор–исток должно быть отрицательным; учитывайте, что значение RDS(on) приведено при VGS=4.5 V. При управлении напряжением 3.3 V или ниже оцените рост сопротивления. Последовательный резистор затвора 10–100 Ω помогает подавить звон и ограничить импульсный ток; для быстрого переключения могут использоваться RC-цепи или ограничители перенапряжения. Укорачивайте проводники истока, стока и затвора, чтобы уменьшить паразитную индуктивность и импеданс.