Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Available for RFQ
Технические данные
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
ME2108A30PG — обзор продукта
1. Описание
ME2108A30PG — повышающий контроллер DC-DC с фиксированным выходным напряжением 3.0V, выпускаемый Nanjing Microne (MICRONE). Корпус SOT-89-3. Поддерживает запуск при сверхнизком напряжении и широкий диапазон входного напряжения. Подходит для повышающих преобразователей в устройствах с питанием от батареи и портативной технике. Используется топология с внешним ключевым транзистором; ток покоя очень низкий, что подходит для применений с жесткими требованиями к потреблению в режиме ожидания.
2. Основные характеристики
Тип: повышающий контроллер (Boost controller)
Диапазон входного напряжения: 0.9V ~ 6.5V (оптимальная работа в диапазоне типичного напряжения батареи 2.7V~5.6V)
Выходное напряжение: фиксированное 3.0V
Выходной ток: до 400mA (ограничен внешним ключевым элементом и обвязкой)
Частота переключения: типичная 180kHz
Ток покоя (Iq): около 50µA
Синхронное выпрямление: нет (требуется внешний выпрямительный диод)
Ключевой транзистор: внешний N-канальный MOSFET, выбираемый пользователем
Рабочая температура: -25°C–+85°C
Корпус: SOT-89-3
Выходные каналы: 1
3. Особенности и преимущества
Запуск при входном напряжении от 0.9V подходит для одной батареи и других низковольтных источников питания.
Низкий ток покоя (~50µA) увеличивает срок службы батареи в режиме ожидания.
Частота переключения 180kHz обеспечивает баланс между эффективностью и габаритами внешних компонентов, позволяя использовать компактные дроссели и конденсаторы.
Внешний ключевой транзистор можно подобрать с учетом мощности, эффективности и стоимости.
Фиксированный выход 3.0V упрощает цепь обратной связи и разводку.
4. Рекомендации по выбору внешних компонентов
Ключевой MOSFET: рекомендуется N-канальный силовой MOSFET с низкими пороговым напряжением и Rds(on), а также достаточным запасом по напряжению; Vds≥12V, Rds(on) следует выбирать как можно ниже для уменьшения потерь переключения и проводимости.
Выпрямительный диод: используйте диод Шоттки с низким прямым падением напряжения; рекомендуемый номинальный ток ≥1A.
Дроссель: выбирайте дроссель с низким сопротивлением постоянному току и током насыщения выше пикового выходного тока. Типичная индуктивность составляет от нескольких µH до десятков µH в зависимости от выходного тока и требований к пульсациям.
Входной и выходной конденсаторы: конденсаторы с низким ESR, электролитические или керамические, для обеспечения стабильности и переходной характеристики.
Учитывайте запас по току и мощности внешних компонентов, чтобы предотвратить перегрев при максимальной нагрузке.
5. Рекомендации по разводке и теплоотводу
Дорожки между MOSFET, диодом и дросселем должны быть короткими и широкими для уменьшения паразитной индуктивности и EMI.
Размещайте входной и выходной конденсаторы рядом с выводами микросхемы, чтобы уменьшить площадь контуров возвратного тока.
Корпус SOT-89-3 имеет относительно высокое тепловое сопротивление. При высокой нагрузке или длительной работе с большим током обеспечьте теплоотвод; при необходимости увеличьте площадь медного полигона на PCB.
Прокладывайте чувствительные выводы обратной связи отдельно от цепей с высоким током, чтобы снизить шумовую связь.
6. Типичные области применения
Повышение напряжения до 3.0V в портативных устройствах, сенсорных узлах и беспроводных модулях с низковольтным питанием от батареи.
Устройства с очень низким током ожидания: пульты дистанционного управления, носимые устройства и IoT-терминалы.
Схемы с ограничениями по габаритам и стоимости, где требуется оптимизировать эффективность выбором MOSFET.
ME2108A30PG сочетает запуск при низком напряжении, низкий ток покоя и гибкость выбора внешнего ключевого элемента. Подходит для повышающих источников питания с батарейным питанием, низким потреблением и ограничениями по размеру. Правильный выбор внешних MOSFET, диода Шоттки и дросселя, а также грамотная разводка PCB и теплоотвод обеспечивают высокую эффективность и надежность.
Запрос котировки
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары