Nexperia BC849B,215 BC849B

BC849B,215 — маломощный биполярный транзистор NPN общего назначения в корпусе SOT-23 для коммутации и усиления малых сигналов.

Коэффициент передачи тока постоянного тока hFE: до 240 при 10 μA и VCE=5V. Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 30 V. Частота перехода fT: около 100 MHz. Рассеиваемая мощность Pd: типовое значение 250 mW. Ток отсечки коллектора Icbo: около 15 nA. Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 V. Напряжение насыщения VCE(sat): до 90 mV при типовых условиях. Диапазон рабочей температуры: -65 ℃ до +150 ℃.

Высокий коэффициент усиления при малых токах подходит для усиления слабых сигналов и упрощения смещения. Низкие ток утечки и напряжение насыщения подходят для прецизионных аналоговых схем и энергоэффективной коммутации. Частота fT около 100 MHz поддерживает усиление малых сигналов на высоких частотах.

Применяется в малоточных предварительных усилителях, схемах обнаружения и усиления сигналов, универсальных переключателях, управлении малогабаритными реле и индикаторами в пределах номинального тока, интерфейсах датчиков с высоким сопротивлением, аналоговых переключателях, опорных схемах, мобильных устройствах и измерительных приборах.

Рассеиваемая мощность корпуса SOT-23 зависит от площади медных полигонов печатной платы и температуры окружающей среды. Для отвода тепла можно увеличить площадь меди или использовать многослойную плату с тепловыми переходными отверстиями. Для надежной работы следует учитывать предельные значения Vceo и Ic; при необходимости применяют ограничение тока или защитную схему. В высокочастотных схемах рекомендуется использовать короткие дорожки, плоскость заземления и шунтирующие конденсаторы на входе и выходе. Расположение выводов и размеры корпуса указаны в технической документации.