BGU7258X

BGU7258X — интегральный усилитель радиочастотного сигнала для диапазона ISM 5 GHz–6 GHz. Корпус HXSON-6, размер 1.6 mm × 1.6 mm. Предназначен для интеграции в радиочастотный тракт или передающий и приемный тракт беспроводных устройств. Поддерживает питание от одного источника.

Основные электрические параметры:
• Максимальная разность напряжений питания (Vdd–Vss): 3.6 V
• Диапазон однополярного питания: 3.0 V ～ 3.6 V
• Ток покоя (Iq): тип. 1 μA
• Рабочая температура: −40 ℃ ～ +85 ℃
• Рабочий частотный диапазон: ISM 5 GHz ～ 6 GHz

Корпус HXSON-6, 6 выводов. Малый размер корпуса требует внимания к отводу тепла; для непрерывной работы с высокой мощностью важны теплоотвод на печатной плате и сплошная земляная плоскость.

Особенности: низкий ток покоя, однополярное питание 3.0–3.6 V, компактный корпус и работа в диапазоне 5–6 GHz, включая 5.8 GHz ISM.

Типовые применения: беспроводные модули 5.8 GHz ISM, узлы беспроводных датчиков и маломощные IoT-устройства, короткие линии передачи данных, предварительные усилители антенн, приемные тракты, радиочастотные оценочные модули и эталонные конструкции.

Размещайте байпасный конденсатор, например 100 nF керамический, рядом с выводом Vdd; для снижения низкочастотных пульсаций можно добавить конденсатор большей ёмкости. Обеспечьте сплошную земляную плоскость под компонентом и вокруг него и соедините слои земли несколькими переходными отверстиями (via). Согласуйте вход и выход с импедансом тракта, обычно 50 Ω, с учетом материала платы, дорожек и разъемов. Разводка нескольких RF-компонентов должна снижать взаимную связь и паразитные колебания. Для улучшения отвода тепла увеличьте площадь медного полигона и оптимизируйте расположение заземляющих VIA.

Функции выводов обычно включают RF_IN, RF_OUT, Vdd и GND, а также возможные выводы смещения или управления. Используйте официальную схему корпуса и распиновку при проектировании. Не превышайте максимальное напряжение питания 3.6 V. Проверьте дрейф параметров и линейность при длительной работе на предельных температурах −40 ℃ и +85 ℃; на входе RF избегайте постоянного напряжения выше допустимого.