Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
ON MUN5335DW1T1G
Configuration
1 options
Configuration
26+
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
20
характеристик
Основная информация
- Название товара
- ON MUN5335DW1T1G
- Тип
- ON
- Единица
- Электронный компонент
- Минимальная упаковка
- 3000 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Единица измерения
- шт.
- Бренд
- ON
- Модель
- MUN5335DW1T1G
- Шаг
- 1
- Корпус
- SOT-363
- Количество
- 1 NPN со встроенным смещением, 1 PNP со встроенным смещением
- Категория
- цифровой транзистор
- Вес
- 0.027g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0209279768
- Рабочая температура
- 55℃~+150℃
- Соотношение сопротивлений
- 0.047
- Входное сопротивление
- 2.2kΩ
- Тип транзистора
- NPN+PNP
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 187mW
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
MUN5335DW1T1G 产品概述
简介 MUN5335DW1T1G 是一款集成数字晶体管，采用SOT-363封装形式，专为实现高效的电子信号放大和开关控制而设计。产品包含1个NPN和1个PNP晶体管，具有预偏压功能，广泛应用于数字电路、信号放大、开关电源和其他需要快速切换和放大的场合。
关键规格参数
电流和电压特性:
- 集电极电流（Ic）最大值: 100mA，适合大多数中小负载。
- 集射极击穿电压（Vce_max）: 50V，满足很多高电压应用要求。
- 集电极截止电流（Ic_off）最大值: 500nA，提供低泄漏特性。
增益特性:
- 在5mA的基极电流和10V的集射电压条件下，DC电流增益（hFE）最小为80，这保证了信号的有效放大。
饱和压降:
- 在300µA的基极电流和10mA的集电极电流下，Vce饱和压降最大为250mV，确保在开关状态下损耗最小，从而提高电路效率。
功率输出:
- 最大功率输出为250mW，能够满足大部分日常电路设计需求。
电阻特性:
- 基极电阻（R1）为2.2kΩ，发射极电阻（R2）为47kΩ，提供良好的电流控制。
封装和安装:
- MUN5335DW1T1G 采用6-TSSOP, SC-88, SOT-363封装，属于表面贴装型设计，适合现代小型电路板的紧凑布局。
应用场景 MUN5335DW1T1G广泛应用于数字信号处理、高频开关电路、低功耗放大器、传感器驱动和负载开关等众多领域。由于其较低的功耗和良好的增益特性，尤其适合于手持设备、智能家居、汽车电子及各种消费电子产品中需要快速开关和信号处理的场景。
性能优势
- 高集成度: 此产品将两个通用型号的晶体管集成于一个小型封装内，降低了电路空间占用并提高了系统的可靠性。
- 优良的开关速度: 由于内部结构优化，该组件支持高频操作，适用于要求快速响应的应用中。
- 低功耗: 设计上的高效性确保在运行中耗电较低，非常适合对电源管理有较高要求的设备。
总结 MUN5335DW1T1G是一款具有优秀性能和广泛应用潜力的数字集成晶体管，适合各类现代电子设备使用。凭借其合理的规格和紧凑的封装设计，电子工程师可以在多种电路中轻松实现集成与高效能，从而加速新产品的开发周期并降低设计成本。作为安森美电子的一款出色产品，MUN5335DW1T1G无疑是许多项目的理想选择。
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
1 шт. BGA Микросхема Чипсет для ATTINY26L-8SU 8SU 16SU SOP-20
- Модель
- ATTINY26L-8SU
- Корпус
