WMSIC Электронные компоненты

ON FDD5N50NZTM

МодельFDD5N50NZTM
КорпусTO-252AA
БрендON
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
ON FDD5N50NZTM
Тип
ON
Минимальная упаковка
2500

Технические параметры

Бренд
ON
Модель
FDD5N50NZTM
Шаг
1
Корпус
TO-252AA
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.372g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0228786092
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
62W
Минимальное количество в упаковке
2500
Напряжение сток-исток (Vdss)
500V
Входная емкость (Ciss)
440pF
Заряд затвора (Qg)
12nC@10V
Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
1.38Ω@10V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

FDD5N50NZTM — N-канальный высоковольтный MOSFET

FDD5N50NZTM — N-канальный силовой MOSFET для применений с высоким напряжением и низким или средним током. Основные параметры: Vdss = 500V, непрерывный ток стока Id = 4A, максимальная рассеиваемая мощность Pd = 62W (зависит от корпуса и условий отвода тепла).

Электрические характеристики

• Напряжение сток–исток: 500V.
• Непрерывный ток стока: 4A.
• Сопротивление RDS(on): 1.38Ω при Vgs = 10V.
• Пороговое напряжение затвора Vgs(th): около 3V; для обеспечения указанных характеристик рекомендуется управление затвором напряжением 10V.
• Полный заряд затвора Qg: около 12nC при 10V; входная ёмкость Ciss = 440pF.

Корпус и теплоотвод

Поверхностный корпус TO-252AA (DPAK) подходит для автоматизированного монтажа на PCB. Значение Pd = 62W относится к условиям эффективного теплоотвода. При проектировании следует учитывать тепловое сопротивление перехода к PCB, площадь медных площадок и путь отвода тепла. Для высокой мощности или непрерывной работы используют увеличенную площадь меди, тепловые переходные отверстия или металлический радиатор.

Управление и коммутация

Параметры Qg = 12nC и Ciss = 440pF характеризуют требуемую энергию управления при переключении. Для достижения нужной скорости переключения драйвер должен обеспечивать достаточный ток. Для снижения звонков и электромагнитных помех применяют последовательный резистор затвора и, при необходимости, RC-цепь или защиту TVS. При расчёте теплового режима учитывают потери проводимости Id²·RDS(on).

Области применения

Автономные импульсные источники питания, высоковольтные ключи или вспомогательные цепи, обратноходовые и прямоходовые преобразователи, осветительные балласты, генераторы импульсов и другие схемы с напряжением до 500V и небольшим током.

Рекомендации по применению

Проверьте допустимость рабочего тока и потерь проводимости. При непрерывном токе, близком к 4A, рассмотрите параллельное включение или MOSFET с меньшим RDS(on). Для характеристик, приведённых выше, обеспечьте напряжение управления затвором 10V. Уделите внимание теплоотводу PCB при высокой скважности или непрерывной проводимости и предусмотрите защиту от перенапряжения, перегрева и импульсных выбросов.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.