PANJIT PJA3461_R1_00001

PJA3461_R1_00001 — одиночный P-канальный MOSFET с индуцированным каналом в корпусе SOT-23. Предназначен для маломощной коммутации и управления питанием. Номинальное напряжение сток–исток Vdss составляет 60V.

Основные электрические параметры:
Полярность: P-канал
Vdss (напряжение сток–исток): 60V
Id (непрерывный ток стока): 1.9A
RDS(on) (сопротивление во включенном состоянии): 190mΩ @ Vgs = 10V, Id = 1.9A
Vgs(th) (пороговое напряжение): около 1.88V
Qg (полный заряд затвора): 8.3nC @ 10V
Ciss (входная емкость): 430pF @ 30V
Crss (емкость обратной передачи): 29pF @ 30V
Pd (рассеиваемая мощность): 1.25W (тепловой предел корпуса)
Рабочий диапазон температур перехода: -55℃ ~ +150℃ (Tj)

Типичные области применения: защита питания портативных устройств от переполюсовки, отключение нагрузки верхним ключом, маломощные схемы DC-DC, управление разрядным трактом в системах BMS, коммутация нагрузок переменного тока или сигналов.

Для корпуса SOT-23 следует учитывать ограниченный теплоотвод. При длительной работе с высоким током оцените тепловые потери. Заряд затвора Qg = 8.3nC требует учета возможностей драйвера и потерь при переключении; в высокочастотных PWM-схемах последовательный резистор затвора помогает подавить звон. Для уменьшения влияния емкостей Ciss и Crss следует сократить длину цепи затвор–сток и расположить цепь драйвера рядом с прибором.

Значение Pd = 1.25W является теоретическим пределом рассеивания. Фактический режим зависит от охлаждения PCB, площади меди и температуры окружающей среды. В высокотемпературных условиях учитывайте рост RDS(on).

Для напряжений ниже и больших токов (>2A) рассмотрите корпус большего размера или модель с меньшим RDS(on). В высокочастотных схемах следует оценить потери переключения с учетом Qg, Ciss, Crss и частоты.