Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
RENESAS HIP2100IBZT
Configuration
1 options
Configuration
23+
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
19
характеристик
Основная информация
- Название товара
- RENESAS HIP2100IBZT
- Тип
- RENESAS
- Минимальная упаковка
- 2500 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Бренд
- RENESAS
- Модель
- HIP2100IBZT
- Шаг
- 1
- Корпус
- SOIC-8
- характеристики
- Защита от пониженного напряжения (UVP)
- Категория
- микросхема драйвера затвора
- Вес
- 0.55g
- Минимальный заказ
- 1
- Функциональные особенности
- Встроенный диод начальной зарядки; управление временем паузы
- Артикул
- BM0257394537
- Рабочая температура
- 40℃~+125℃
- Рабочее напряжение
- 9V~14V
- Тип нагрузки
- MOSFET
- Конфигурация драйвера
- Полумост
- Выходной ток высокого уровня (IOH)
- 2A
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
HIP2100IBZT — неинвертирующий драйвер затворов для полумостовой схемы в корпусе SOIC-8. Предназначен для управления верхним и нижним силовыми MOSFET. Встроены диод питания верхнего плеча с bootstrap-схемой и функция управления мертвым временем.
Основные параметры:
Конфигурация: полумост, два канала верхнего и нижнего плеча, неинвертирующие выходы
Нагрузка: затвор MOSFET
Пиковый ток стока/истока IOL/IOH: 2A / 2A
Рабочее напряжение VCC: 9V ~ 14V (типовое применение 10V ~ 12V)
Время нарастания/спада tr/tf: 10ns / 10ns (типовые значения)
Задержка распространения tpLH/tpHL: 43ns / 43ns
Ток покоя Iq: 300µA без нагрузки
Логические пороги: VIH около 0.8V ~ 2.2V, VIL около 0.8V ~ 1.65V
Рабочая температура: -40℃ ~ +125℃
Корпус: SOIC-8
Встроенная защита от пониженного напряжения (UVP) подавляет выход, когда напряжение VCC или bootstrap-питания опускается ниже безопасного порога. Управление мертвым временем помогает предотвратить одновременное открывание верхнего и нижнего ключей. Встроенный bootstrap-диод упрощает схему управления верхним плечом.
Области применения: синхронное выпрямление, однофазные и многофазные преобразователи DC–DC с повышением и понижением напряжения, управление BLDC и бесщеточными двигателями постоянного тока, инверторы, UPS, управление плечами моста на MOSFET.
Рекомендации по проектированию:
Размещайте bootstrap-конденсатор между выводами bootstrap и цепи верхнего плеча рядом с микросхемой. Типовая емкость 0.01µF ~ 0.1µF; подбирайте ее с учетом частоты переключения и потерь.
Размещайте обходные конденсаторы VCC рядом с выводами VCC и GND. Типовая комбинация — 0.1µF и 1µF параллельно.
Для ограничения коммутационных нагрузок и звона установите последовательно с каждым затвором резистор, обычно 5Ω ~ 20Ω. Подберите его с учетом заряда затвора MOSFET и потерь системы.
Сократите пути возвратного тока в высокочастотных цепях и минимизируйте паразитную индуктивность. Компактная разводка bootstrap- и силовой цепей снижает электромагнитные помехи и выбросы напряжения на затворе.
Используйте функцию управления мертвым временем или задайте блокировку в логике управления, чтобы исключить перекрытие включения ключей.
При высокой частоте переключения или большом токе управления учитывайте тепловой режим драйвера и MOSFET; обеспечьте надежную работу в диапазоне -40℃ ~ 125℃.
Корпус SOIC-8 подходит для автоматизированного монтажа. При применении в автомобильной электронике проверьте наличие требуемого класса AEC-Q100 и соответствующих сертификатов.
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
1 шт. электронная Микросхема Электронный компонент STM32F401RBT6
- Модель
- STM32F401RBT6
- Корпус
