Sunlord WPN4012H3R3MT

Силовой дроссель WPN4012H3R3MT

WPN4012H3R3MT от Sunlord — компактный силовой дроссель SMD для источников питания малой и средней мощности. Корпус 4×4mm занимает площадь 16mm² и подходит для компактных плат. Типичные области применения: фильтрация в системе управления аккумулятором (BMS) и модулях понижения DC-DC смартфонов и планшетов; маломощные цепи питания носимых устройств; фильтрация EMI и накопление энергии в датчиках промышленного IoT и компактных автомобильных USB-зарядных модулях.

Электрические параметры
Индуктивность 3.3μH ±20%. Такой номинал подходит для преобразования DC-DC при токе 1-2.1A.
Номинальный ток (Irms=2.1A): максимальный длительный ток, при котором изменение индуктивности удерживается в пределах ±10% согласно указанному для изделия стандарту.
Ток насыщения (Isat=2.8A): порог тока, при котором магнитный сердечник насыщается и индуктивность снижается на ≥30%. Пиковый ток схемы следует удерживать на уровне ≤2.8A.
Сопротивление постоянному току (DCR=104mΩ). При токе 2.1A потери в меди составляют около 0.46W. Низкое DCR также уменьшает нагрев.

Корпус и конструкция
Корпус SMD 4×4×1.2mm для поверхностного монтажа. Указан стандарт бессвинцовой пайки IPC-J-STD-020; изделие совместимо с пайкой оплавлением и волновой пайкой.
Сердечник выполнен из сплава; указана плотность магнитного потока насыщения Bs≥0.5T.
Многослойная плотно намотанная эмалированная проволока уменьшает паразитную емкость и индуктивность рассеяния.
Сердечник и обмотка покрыты эпоксидной смолой. Указано соответствие IPC-A-610 Class 2 и устойчивость к вибрации 10G/20-2000Hz.

Условия эксплуатации и рекомендации
Диапазон рабочих температур: -40℃…+125℃. Указан температурный коэффициент ≤±0.02%/℃.
В испытаниях при +85℃ и номинальном токе после 100000 часов непрерывной работы изменение индуктивности составляет ≤±5%, а изменение DCR — ≤±10%. Указано соответствие AEC-Q200; для отдельных партий доступна заказная конфигурация.
Максимальный длительный ток схемы следует ограничить значением ≤2.1A, пиковый — ≤2.8A; для нагрузки понижающего DC-DC модуля рекомендуется запас 20%.
Размещайте дроссель рядом с микросхемой питания, например у вывода SW микросхемы Buck, чтобы уменьшить площадь контура и EMI. Не прокладывайте параллельно чувствительным линиям I2C и SPI; рекомендуемый интервал ≥2mm.
Для отвода тепла увеличьте площадь меди на контактных площадках, в том числе используйте внутренние слои 4-слойной платы. При температуре среды ≥+85℃ снизьте номинальный ток до 1.7A.
Если требуется точность выше ±20%, например для радиочастотной фильтрации, рассмотрите WPN4012H3R3JT с точностью ±10%.