Sunlord SWPA3010S6R8MT

SWPA3010S6R8MT — обзор

SWPA3010S6R8MT — силовой SMD-дроссель размером 3.0 × 3.0 mm с номинальной индуктивностью 6.8 µH и допуском ±20%. Номинальный ток (Ir) — 660 mA, ток насыщения (Isat) — 550 mA, сопротивление постоянному току (DCR) — около 397 mΩ. Экранированная магнитная конструкция подходит для компактных источников питания и фильтрации импульсных источников питания, где важны размеры и EMI.

Основные особенности
Компактный корпус SMD 3×3 mm подходит для мобильных устройств и модульных источников питания с ограниченным пространством.
Индуктивность 6.8 µH подходит для импульсных источников питания низкой и средней частоты и накопления энергии.
Магнитное экранирование снижает утечку магнитного потока и влияние на соседние цепи.
Номинальный ток 660 mA и ток насыщения 550 mA позволяют оценить запас по току.
При DCR 397 mΩ учитывайте потери в проводнике и влияние на эффективность.

Электрические и тепловые характеристики
Допуск индуктивности ±20%: учитывайте влияние отклонения индуктивности на пульсации тока и контур управления; при необходимости предусмотрите запас или выполните измерения.
Ток насыщения Isat (550 mA) обычно задается при снижении индуктивности до определенного уровня. Для предотвращения существенного снижения индуктивности и магнитного гистерезиса рекомендуется держать рабочий ток ниже Isat. При длительной работе около Isat оцените влияние на выходной ток и стабильность.
Оценка потерь: при DCR = 0.397 Ω потери I²R составляют примерно 0.10 W при 0.50 A и 0.17 W при 0.66 A (номинальный ток). При токе, близком к номинальному, нагрев заметен; учитывайте теплоотвод и влияние температуры компонента на срок службы.

Типовое применение
Выходная фильтрация и накопление энергии в синхронных и асинхронных понижающих (buck) и повышающих (boost) DC-DC-преобразователях.
Модули питания мобильных и носимых устройств.
Драйверы LED, системы с питанием от аккумулятора и маломощные модули управления питанием.
Подавление EMI и фильтрация входного питания.

Рекомендации по разводке и применению на PCB
Размещайте дроссель между микросхемой импульсного источника питания и выпрямителем или конденсатором. Сокращайте пути токовых контуров, чтобы уменьшить паразитную индуктивность и излучение.
Используйте широкие медные дорожки на верхнем слое. При необходимости добавьте медную площадку для отвода тепла под дросселем или переходные отверстия для улучшения теплопередачи.
Сохраняйте расстояние от чувствительных аналоговых цепей, несмотря на магнитное экранирование.
При больших пульсациях тока или высокой температуре учитывайте снижение допустимого тока (derating). Например, ограничивайте непрерывный ток уровнем ниже 70–80% Isat либо руководствуйтесь тепловым расчетом системы.
Измерьте индуктивность и повышение температуры на плате в реальных условиях, особенно если частота, амплитуда и температура отличаются от условий спецификации.

Выбор и надежность
Повышенное DCR увеличивает потери проводимости в системах, чувствительных к эффективности. При необходимости выберите дроссель с меньшим DCR или большим корпусом.
Допуск индуктивности ±20% подходит для силовой фильтрации без жестких требований к точности. Для точных контуров управления предусмотрите запас настройки или используйте компонент с меньшим допуском.
Магнитное экранирование помогает выполнить требования EMI. При высоком токе и частых тепловых циклах учитывайте долговременный температурный дрейф и возможное ухудшение магнитных характеристик; ориентируйтесь на данные испытаний надежности и срока службы.