ST MMFTN3019E MOSFET

MMFTN3019E — малосигнальный N-канальный MOSFET

MMFTN3019E — малосигнальный N-канальный полевой транзистор ST в миниатюрном корпусе SOT-523-3. Это переключательный MOSFET с напряжением 30 V, рассчитанный на малый ток и низкую емкость, для компактных схем с высокими требованиями к паразитной емкости и управлению затвором.

Основные электрические параметры

Тип: N-канальный MOSFET
Напряжение сток-исток Vdss: 30 V
Пороговое напряжение Vgs(th): 1.5 V (тип.)
Сопротивление открытого канала RDS(on): 8 Ω @ Vgs=4 V, Id=10 mA
Непрерывный ток стока Id: 100 mA
Рассеиваемая мощность Pd: 150 mW
Входная емкость Ciss: 13 pF; выходная емкость Coss: 9 pF; емкость обратной передачи Crss: 4 pF
Корпус: SOT-523-3

Пороговое напряжение около 1.5 V близко к логическому уровню. Значение RDS(on) 8 Ω указано при Vgs=4 V и Id=10 mA, поэтому при более высоком токе потери могут быть существенными. Низкие значения Ciss, Coss и Crss подходят для быстрого переключения и коммутации высокочастотных сигнальных трактов.

Типовые применения

• Переключение, изоляция и мультиплексирование сигналов в мобильных устройствах и портативных приборах
• Управление малым током и преобразование уровней, например для линий ввода-вывода микроконтроллера
• Защита и отключение интерфейсов, например при переходе во режим низкого энергопотребления
• Переключение высокочастотных и быстрых импульсных сигналов с учетом ограничений по мощности и нагреву

Корпус и тепловой режим

Миниатюрный корпус SOT-523-3 обладает ограниченной площадью теплоотвода. Номинальная рассеиваемая мощность составляет 150 mW. Для повышения надежности следует избегать длительной работы около предельной мощности, предусмотреть теплоотвод на PCB и держать рабочий ток значительно ниже 100 mA.

Рекомендации по выбору и применению

MMFTN3019E подходит для сигнальной коммутации и управления малым током. Для передачи большего тока или снижения потерь следует выбирать силовой MOSFET с меньшим RDS(on) и большей Pd. В расчетах учитывайте, что RDS(on) указан при Vgs=4 V и Id=10 mA и может увеличиваться при более высоком Id. Для быстрого переключения также учитывайте сопротивление драйвера затвора и топологию монтажа, чтобы снизить риск колебаний и выбросов напряжения.