SHIKUES MMBT5087

MMBT5087 — малосигнальный биполярный PNP-транзистор в корпусе SOT-23.

Основные параметры:
Коэффициент передачи тока hFE: 150 (типовое значение, Ic=1 mA, Vce=5 V)
Обратный ток коллектора Icbo: 50 nA (типовое значение)
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 45 V
Граничная частота fT: 100 MHz (типовое значение)
Номинальный ток коллектора Ic: 50 mA
Рассеиваемая мощность Pd: 200 mW при типовых условиях для корпуса; в некоторых источниках или вариантах корпуса указано 350 mW
Напряжение пробоя эмиттер–база Vebo: 5 V
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat): около 650 mV при указанных условиях измерения

Высокий hFE при малых токах подходит для усилителей с низким током смещения и высокоомных схем. Низкий Icbo характеризует малую утечку в закрытом состоянии. Частота fT 100 MHz подходит для обработки сигналов средней и высокой частоты, включая аудиосхемы и низкоскоростные аналого-цифровые схемы.

Типовые применения: малосигнальные и предварительные усилители, верхние ключи, ключи нагрузки, преобразователи уровней, зеркала тока, схемы смещения и температурной компенсации, бытовая электроника, измерительные приборы, интерфейсы датчиков и маломощные модули.

При работе в корпусе SOT-23 учитывайте ограничения по мощности и тепловому сопротивлению. Для улучшения отвода тепла увеличьте площадь медного слоя PCB или используйте тепловые переходные отверстия. При высокой температуре окружающей среды или длительной коммутации больших токов рассчитайте рассеиваемую мощность и нагрев по технической документации.

Перед применением проверьте, что Vceo 45 V соответствует максимальному напряжению схемы с запасом. Учитывайте Vebo≈5 V: база не должна подвергаться чрезмерному обратному напряжению относительно эмиттера. Для достижения требуемого напряжения насыщения обеспечьте достаточный ток базы; VCE(sat) зависит от условий Ic/Ib. Для более высокого тока или рассеиваемой мощности рассмотрите корпус или компонент с более высоким номиналом.