H8116A30NR升压型DC-DC电源芯片产品概述

H8116A30NR是上海矽朋（Siproin）推出的一款升压型固定输出DC-DC电源芯片，专为低功耗、小体积电池供电场景设计，集成同步整流与内置开关管，兼顾效率与便携性，适用于宽温环境下的各类便携及IoT设备。

一、产品核心定位与设计亮点

H8116A30NR聚焦电池供电设备的低功耗+小体积需求，核心设计亮点包括：

1. 宽输入电压覆盖：2.1V5.5V范围，适配单节锂电池（2.04.2V）、2节干电池（3.0V）等常见供电源；
2. 超低待机功耗：仅15μA静态电流，大幅延长电池待机时间（100mAh电池待机超70天）；
3. 高效同步整流：内置NMOS上下管，替代续流二极管，轻载效率提升5%~10%；
4. 内置功率管：无需外置开关管，简化外围电路，缩小PCB面积；
5. 固定精准输出：3V输出精度±1%，适配MCU、传感器等3V负载；
6. 工业级温宽：-40℃~+85℃，满足户外、车载等复杂环境需求。

二、关键电气参数与应用匹配性

1. 输入电压范围（2.1V~5.5V）

支持单节锂电池放电截止状态（2.1V）仍稳定工作，同时覆盖2节AA/AAA干电池（3.0V）、USB 5V（宽范围兼容），无需额外升压/降压转换，简化系统设计。

2. 静态电流（Iq=15μA）

待机模式下仅消耗15μA电流，是同类异步整流芯片的1/3~1/5，适合长期低功耗待机的IoT节点、智能手环等设备。

3. 开关频率（300kHz）

采用固定300kHz频率，平衡效率与元件体积：电感可选用10μH小封装（如SOT-23），电容用1μF~10μF陶瓷电容，无需 bulky 元件，适配便携设备高密度布局。

4. 同步整流效率

内置NMOS下管替代续流二极管，导通压降从0.3~0.7V降至0.1V以下：

• 轻载（10mA输出）效率≥80%；
• 满载（100mA输出）效率≥85%，比异步方案提升显著。

三、拓扑结构与工作原理

H8116A30NR采用升压（Boost）拓扑，核心工作流程：

1. 充电阶段：内置NMOS上管导通，下管截止，输入电压给电感充电，储存磁能；
2. 放电阶段：上管截止，下管导通（同步整流），电感通过下管向输出电容/负载放电，输出电压高于输入；
3. 反馈调节：内置反馈电路检测输出电压，动态调整开关占空比，稳定3V输出。

同步整流的核心优势是降低导通损耗，尤其在低电流场景下，避免续流二极管的压降浪费，提升电池续航。

四、封装与典型应用场景

1. 封装形式

SOT-23（5引脚）封装，尺寸仅2.9mm×2.5mm×1.1mm，适合便携设备的小面积PCB设计，可兼容自动贴装工艺。

2. 典型应用

• 便携电子：蓝牙音箱、智能手环、TWS耳机（单节锂电池供电）；
• 低功耗IoT：无线传感器节点、智能门锁（待机模式）、远程监控摄像头；
• 干电池产品：电视遥控器、电子玩具、小型LED手电筒；
• 工业场景：户外环境监测传感器、车载小电器（宽温适配）。

五、环境适应性与可靠性

• 宽温工作：-40℃~+85℃工业级温宽，可在低温（北方冬季户外）、高温（车内夏季）下稳定运行；
• 内置保护：常规电源芯片级保护（过流OCP、过温OTP），防止负载短路或芯片过热损坏；
• 抗干扰设计：300kHz开关频率避开AM广播等噪声频段，内置EMI优化电路，降低对周边敏感元件的干扰。

总结

H8116A30NR凭借宽输入、低功耗、高效率、小体积四大核心优势，成为电池供电便携设备、低功耗IoT设备的理想升压电源方案，尤其适合对待机时间、体积有严格要求的场景。