Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
SUPSiC GC3M0075120D
Configuration
1 options
Configuration
25+
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
19
характеристик
Основная информация
- Название товара
- SUPSiC GC3M0075120D
- Тип
- SUPSIC
- Минимальная упаковка
- 450 管
Технические параметры
- Упаковка
- Туба
- Бренд
- SUPSIC
- Модель
- GC3M0075120D
- Шаг
- 1
- Корпус
- TO247-3
- Количество
- 1 N-канальный
- Тип
- N-канальный
- Категория
- полевой транзистор на карбиде кремния (MOSFET)
- Вес
- 8.134g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0227373152
- Рабочая температура
- 40℃~+175℃
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 136W
- Минимальная упаковочная единица
- Туба
- Минимальное количество в упаковке
- 450
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- 1.2kV
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
GC3M0075120D 产品概述
一、产品概述
GC3M0075120D 为 SUPSiC（国晶微半导体）推出的一款高电压单晶硅碳化硅（SiC）N沟道功率MOSFET，采用 TO-247-3 封装。器件设计以高耐压、低开关损耗与高温稳定性为目标，适用于要求严格的中高压功率变换场景。
二、主要参数
- 类型：N沟道 MOSFET
- 漏源耐压 Vdss：1.2 kV
- 连续漏极电流 Id：32 A
- 耗散功率 Pd：136 W
- 阈值电压 Vgs(th)：2.5 V
- 导通电阻 RDS(on)：75 mΩ @ Vgs=15 V
- 总栅极电荷 Qg：54 nC
- 输入电容 Ciss：1.39 nF
- 输出电容 Coss：58 pF
- 反向传输电容 Crss：2 pF
- 工作温度范围：-40 ℃ ~ +175 ℃
- 封装：TO-247-3
三、关键特性与优势
- 高耐压（1.2 kV）：适合 800 V 以上的直流母线及中高压拓扑。
- 低导通电阻：75 mΩ 在 15 V 门极驱动下提供较低导通损耗，配合合适散热可支持较大持续电流。
- 低寄生电容（Coss/Crss）：58 pF / 2 pF 有利于减少开关损耗与开关应力，提高开关效率。
- 宽工作温度：最高工作温度可达到 175 ℃，增强系统可靠性与热裕度。
- 中等栅极电荷（54 nC）：在兼顾开关速度与驱动能耗之间达到平衡。
四、典型应用
- 光伏逆变器、中高压变流器
- 工业电源与无间断电源（UPS）
- 电动车充电桩、高压电源模块
- 高频高效开关电源与电机驱动系统
五、设计与使用建议
- 驱动：建议采用 ±15 V 级的门极驱动器，确保 Vgs 在额定值下稳定工作。Qg=54 nC 表明需考虑驱动器的峰值电流与功耗。
- 散热：TO-247-3 封装需配合合适散热器或水冷系统，Pd=136 W 为器件热设计上限，应根据实际工况计算结壳温升。
- 布局与抑振：高速切换特性对寄生电感敏感，建议优化布局、使用吸收/缓冲网络以降低过冲与振铃。
- 安全保护：建议配合过流、过温、软关断或能量钳位电路，因器件的能量吸收能力与浪涌承受限于具体应用条件。
六、总结
GC3M0075120D 以其 1.2 kV 的高耐压性能、较低的开关寄生参数和宽温度适应能力，适合用于要求高效率、高可靠性的中高压功率电子系统。在系统设计中需重视门极驱动能力与热管理，以发挥器件的最佳性能与长期可靠性。
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
