WMSIC Электронные компоненты

SUPSiC GC2M0080120D

МодельGC2M0080120D
КорпусTO247-3
БрендSUPSIC
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
SUPSiC GC2M0080120D
Тип
SUPSIC
Минимальная упаковка
30 管

Технические параметры

Упаковка
Туба
Бренд
SUPSIC
Модель
GC2M0080120D
Шаг
1
Корпус
TO247-3
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
полевой транзистор на карбиде кремния (MOSFET)
Вес
8.49g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0227373060
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
192W
Минимальная упаковочная единица
Туба
Минимальное количество в упаковке
30
Напряжение сток-исток (Vdss)
1.2kV

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

GC2M0080120D — высоковольтный силовой MOSFET из карбида кремния (SiC) с одним каналом N-типа, производства SUPSiC. Корпус TO-247-3. Предназначен для силовых преобразователей средней и высокой мощности, где требуются быстрое переключение, низкие потери проводимости и работа при высокой температуре.

Основные электрические параметры

Напряжение сток–исток (Vdss): 1.2 kV
Непрерывный ток стока (Id): 36 A
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.9 V
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 80 mΩ @ Vgs = 20 V
Заряд затвора (Qg): 71 nC
Входная емкость (Ciss): 1.13 nF
Емкость обратной передачи (Crss): 7.5 pF
Выходная емкость (Coss): 92 pF
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: TO-247-3

Особенности
Высокое напряжение пробоя 1.2 kV подходит для высоковольтных преобразователей и приводов двигателей. Сопротивление 80 mΩ @20 V и непрерывный ток 36 A способствуют снижению потерь проводимости. Карбид кремния обеспечивает высокую электрическую прочность и работу при высокой температуре, что подходит для высокочастотных режимов. Параметры Ciss, Coss, Crss и Qg позволяют оценивать потери переключения и требования к драйверу.

Рекомендации по проектированию и управлению
Для ориентира рекомендуется напряжение управления уровня 20 V; параметр RDS(on) задан при Vgs=20 V. Драйверу требуется обеспечить ток для управления зарядом затвора 71 nC и достижения требуемой скорости переключения. С учетом Qg и Ciss рекомендуется низкоомный драйвер с высоким пиковым током; последовательный резистор затвора помогает управлять dV/dt и подавлять колебания. При проектировании следует учитывать энергию переходных процессов, связанную с Coss и Crss, и предусмотреть цепи поглощения или ограничения (RC, RCD, TVS) для защиты компонента и снижения электромагнитных помех.

Тепловой режим и надежность
Корпус TO-247-3 поддерживает установку стандартного радиатора или вставной системы охлаждения. При высокой мощности рекомендуется обеспечить хороший тепловой контакт и использовать подходящий теплопроводящий материал. В диапазоне -55~+150 ℃ следует учитывать снижение допустимой мощности при высокой температуре, а также механические нагрузки при пайке и температурных циклах выводов.

Области применения
Солнечные инверторы, промышленные преобразователи частоты, источники питания для тягового и железнодорожного оборудования, ИБП (UPS), зарядные станции для электромобилей, высоковольтные импульсные источники питания (SMPS) и другие системы преобразования энергии средней мощности.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.