WMSIC Электронные компоненты

SILAN SVF18N50PN

МодельSVF18N50PN
КорпусTO-3P
БрендSILAN
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
SILAN SVF18N50PN
Тип
SILAN
Минимальная упаковка
30

Технические параметры

Бренд
SILAN
Модель
SVF18N50PN
Шаг
1
Корпус
TO-3P
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
7.223g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0231143402
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
240W
Минимальное количество в упаковке
30
Напряжение сток-исток (Vdss)
500V
Входная емкость (Ciss)
2.32nF
Выходная емкость (Coss)
282pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

SVF18N50PN — описание продукта

SVF18N50PN — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET для импульсных источников питания и преобразования мощности. Номинальное напряжение составляет 500V, непрерывный ток стока — 18A. Корпус TO-3P и низкое сопротивление открытого канала подходят для импульсных источников питания, коррекции коэффициента мощности (PFC), инверторов и промышленных приводов.

Основные параметры:
Тип: N-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 500V
Непрерывный ток стока Id: 18A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 260 mΩ при Vgs = 10V
Пороговое напряжение Vgs(th): 4V при Id = 250 μA
Полный заряд затвора Qg: 38 nC при Vgs = 10V
Входная емкость Ciss: 2.32 nF
Выходная емкость Coss: 282 pF
Емкость обратной передачи Crss (Miller): 7 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 240W (зависит от условий охлаждения)
Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃
Корпус: TO-3P

Для достижения указанного значения RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10V; также возможно применение 12V. Пороговое напряжение 4V при 250μA требует достаточного уровня управления. Из-за полного заряда затвора 38 nC драйвер должен обеспечивать необходимый импульсный ток. Для настройки скорости переключения и подавления звона можно подобрать последовательный резистор затвора, обычно 5Ω ~ 20Ω. В высоковольтных схемах для ограничения переходных перенапряжений применяют цепи RC или RCD либо диоды TVS. Частота переключения и потери переключения требуют компромисса; устройство подходит для низких и средних частот, например диапазона в десятки kHz.

Для корпуса TO-3P требуется радиатор с хорошим тепловым контактом и теплопроводящий материал, например термопаста или изолирующая прокладка. Значение Pd 240W рассчитано для идеальных условий охлаждения; температуру перехода следует рассчитывать с учетом теплового сопротивления от перехода к окружающей среде, площади радиатора и воздушного потока. При монтаже необходимо соблюдать электрическую изоляцию выводов и радиатора.

Типичные области применения: импульсные источники питания (полумостовые схемы и силовые ключи), входные каскады PFC, инверторы средней и малой мощности, ИБП, промышленные источники питания, управление электродвигателями, мощные LED-драйверы и высоковольтные модули питания.

MOSFET чувствителен к электростатическому разряду; при сборке и тестировании печатной платы следует применять защиту от ESD.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.