TDK MLZ2012M470WTD25

MLZ2012M470WTD25 — описание продукта

MLZ2012M470WTD25 — многослойная чип-индуктивность TDK в корпусе 0805 для автомобильной и промышленной электроники. Компонент имеет квалификацию AEC‑Q200 и рассчитан на длительную работу в условиях температурных нагрузок и вибрации.

Основные характеристики

Индуктивность: 47 µH, допуск ±20%
Ток насыщения (Isat): 50 mA (данные пользователя)
Сопротивление постоянному току (DCR): около 3.7 Ω
Номинальный ток: 170 mA (данные пользователя)
Корпус: 0805 (2012 метрический), поверхностный монтаж, многослойная конструкция
Квалификация: AEC‑Q200
Производитель: TDK

Характеристики и области применения

Компактный корпус 0805 и квалификация для автомобильной электроники позволяют применять компонент в автомобильных приборных панелях, электронных блоках управления (ECU) и интерфейсах датчиков с ограниченным пространством.

Высокая индуктивность подходит для низкочастотной фильтрации, развязки сигналов, согласования импеданса аналоговых схем и подавления EMI на производственных линиях. Многослойная конструкция обеспечивает стабильность характеристик при серийном производстве.

Электрические и тепловые характеристики

При DCR около 3.7 Ω в цепи постоянного тока возникают потери I^2·R. При 170 mA мощность составляет около 0.17^2×3.7 ≈ 0.107 W; при 50 mA — около 9 mW. Учитывайте потери и нагрев соседних компонентов при тепловом проектировании.

Указанные значения тока насыщения и номинального тока различаются: Isat=50 mA < 170 mA. При токе выше Isat индуктивность может заметно снизиться. Перед проектированием проверьте по официальной спецификации TDK условия измерения Isat, включая процент снижения индуктивности.

Индуктивность многослойного элемента зависит от постоянного смещения, температуры и частоты. Оценивайте ее в целевой рабочей точке или по частотной характеристике производителя.

Монтаж и применение

Используйте стандартную разводку контактных площадок PCB для корпуса 0805. Соблюдайте требования TDK к температурному профилю и времени пайки оплавлением; для автомобильных применений рекомендуется предварительное испытание образца.

Для импульсных цепей с большим током и силовых трактов, требующих низкого DCR, выбирайте компонент с подходящими параметрами. Эта модель может применяться для фильтрации сигнальных линий и развязки интерфейсов датчиков при малом токе.

При выборе проверяйте определения и условия измерения Isat, номинального тока и DCR. Для постоянного значительного смещения или снижения потерь выбирайте модель с меньшим DCR или большим током насыщения. В автомобильных системах учитывайте температурный класс и результаты испытаний на термоциклирование и механическую вибрацию.

Примечание: описание составлено на основе предоставленных параметров. Значения тока насыщения и номинального тока требуют сверки с официальной спецификацией TDK.