TDK VLS252010HBX-100M-1

TDK VLS252010HBX-100M-1 — силовая чип-индуктивность

### Основные параметры

- Индуктивность: 10 µH (допуск ±20%).
- Номинальный ток (Ir): 680 mA.
- Ток насыщения (Isat): 680 mA.
- Сопротивление постоянному току (DCR): 460 mΩ.
- Корпус: 1008.

VLS252010HBX-100M-1 — силовая индуктивность для поверхностного монтажа. Индуктивность 10 µH подходит для низко- и среднечастотных импульсных источников питания и фильтров. Сопротивление DCR 460 mΩ приводит к потерям I²R при приближении к номинальному току; при проектировании следует учитывать нагрев. Ток насыщения равен номинальному току, поэтому следует предусмотреть запас по току.

### Типовые применения

Импульсные источники питания малой мощности (Buck/Boost), выходные фильтры, подавление шумов питания и EMI-фильтры, устройства с низким энергопотреблением, включая носимую электронику и IoT-терминалы, а также цепи питания датчиков и изоляции модулей.

### Выбор и применение

При номинальном токе 680 mA расчётные потери составляют P ≈ I²·DCR ≈ 0.68²×0.46 ≈ 0.21 W. Оцените нагрев и предусмотрите отвод тепла. Индуктивность 10 µH подходит для более низких частот переключения и фильтрации на выходе. На высоких частотах учитывайте потери в сердечнике и частотную характеристику.

Размещайте компонент рядом с узлом переключения или участком, требующим защиты от помех. Используйте короткие и широкие дорожки; при необходимости добавьте медную площадку или переходные отверстия для отвода тепла. Учитывайте снижение эффективной индуктивности под действием постоянного тока, температурные условия и возможный резонанс LC-цепи с входными и выходными конденсаторами.