TOSHIBA 2SA2206(TE12L,F)

2SA2206 (TE12L,F) — описание продукта

2SA2206 (TE12L,F) — высоковольтный сильноточный биполярный транзистор PNP компании TOSHIBA в корпусе SC-62. При напряжении коллектор—эмиттер до 80V он обеспечивает ток коллектора до 2A. Транзистор сочетает стабильный коэффициент усиления по постоянному току и высокую граничную частоту, что позволяет использовать его в коммутационных и некоторых высокочастотных усилительных схемах.

Основные параметры
Тип транзистора: PNP
Максимальный ток коллектора Ic: 2A
Напряжение пробоя коллектор—эмиттер Vceo: 80V
Рассеиваемая мощность Pd: 2.5W
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 60 (при Ic = 1A, VCE = 2V)
Граничная частота fT: 100MHz
Ток отсечки коллектора Icbo: 100nA
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер VCE(sat): типовое 500mV
Напряжение пробоя эмиттер—база Vebo: 7V
Рабочая температура: от -55℃ до +150℃
Корпус: SC-62
Производитель: TOSHIBA

Особенности
Высокое напряжение Vceo = 80V подходит для источников питания среднего и высокого напряжения, защитных схем и управления инверторами.
Ток коллектора 2A позволяет управлять нагрузками и последующими силовыми каскадами.
Типовое напряжение VCE(sat) около 0.5V снижает потери при переключении в режиме насыщения.
При Ic = 1A коэффициент hFE составляет около 60, что упрощает выбор смещения для линейного усиления и драйверных схем.
Рабочий диапазон от -55℃ до +150℃ подходит для промышленного применения.
Граничная частота fT около 100MHz поддерживает быстрое переключение и отдельные высокочастотные усилительные схемы.

Применение
Управление по стороне высокого напряжения в линейных стабилизаторах и усилителях мощности
Управление питанием и защитные схемы, включая защиту от переполюсовки и ключи верхнего и нижнего плеча
Коммутация средней мощности, импульсное управление и маломощный привод двигателей
Усиление, буферизация и управление сигналами с учётом рассеиваемой мощности и теплоотвода корпуса
Двухтактные и комплементарные усилители с транзисторами PNP

Корпус и теплоотвод
Компактный корпус SC-62 подходит для плотного монтажа на печатной плате. Теплоотвод корпуса ограничен. При работе около предельной рассеиваемой мощности 2.5W или при высоком токе коллектора следует предусмотреть теплоотвод.
Увеличьте площадь медных полигонов платы или используйте тепловые переходные отверстия для отвода тепла к нижнему слою или зоне теплоотвода.
При высокой мощности обеспечьте вентиляцию или ограничьте коэффициент заполнения, чтобы не превысить максимальную температуру перехода.
Учитывайте снижение допустимой Pd при росте температуры окружающей среды вплоть до 0W; коэффициент снижения приведён в технической документации TOSHIBA.

Рекомендации по применению
Обратное напряжение база—эмиттер Vebo составляет 7V. Ограничивайте его, чтобы предотвратить пробой базовой области.
При принудительном переводе транзистора в насыщение для снижения VCE(sat) обеспечьте достаточный ток базы Ib и учитывайте влияние накопленного заряда базы на скорость переключения.
Ток отсечки коллектора Icbo порядка 100nA способствует снижению утечки и потребления в режиме покоя.
Оценивайте hFE при заданных условиях измерения (Ic=1A, VCE=2V); в реальной схеме он зависит от тока, температуры и VCE.
Для комплементарной пары PNP/NPN подбирайте NPN-транзистор с близкими параметрами напряжения и мощности и сверяйтесь с документацией производителя.

Рекомендуемые проверки
Измерьте температуру перехода и рассеиваемую мощность на целевой печатной плате при типовых условиях работы, чтобы проверить запас по теплоотводу.
Проведите испытания на короткое замыкание и перегрузку в режимах питания и переключения, проверив запас по предельным параметрам Vceo и Vebo.
Для аналогового усиления проверьте частотную характеристику и искажения; диапазон усиления зависит от смещения и нагрузки при fT=100MHz.

2SA2206 (TE12L,F) — транзистор PNP для применения при среднем и высоком напряжении и мощности. Он подходит для схем с ограниченным пространством, требующих коммутации и линейного усиления. Учитывайте теплоотвод корпуса и ограничение обратного напряжения базы; электрические и тепловые характеристики проверяйте по технической документации TOSHIBA и в целевой схеме.