TOSHIBA TK5A90E,S4X(S

TK5A90E, S4X(S — описание изделия

Высоковольтный силовой N-канальный MOSFET производства Toshiba, предназначенный для коммутации при напряжении до 900 V. Подходит для автономных источников питания и высоковольтных переключающих схем.

Основные параметры

Тип: силовой N-канальный MOSFET.
Напряжение сток–исток Vdss: 900 V.
Непрерывный ток стока Id: 4.5 A.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 2.5 Ω при Vgs=10 V (измерено при 2.3 A).
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 40 W.
Пороговое напряжение Vgs(th): 4 V.
Полный заряд затвора Qg: 20 nC при 10 V.
Входная ёмкость Ciss: 950 pF; выходная ёмкость Coss: 75 pF; ёмкость обратной передачи Crss: 8 pF.

При высоком сопротивлении открытого канала устройство подходит для высоковольтной коммутации с умеренным током. Низкая Crss помогает уменьшить эффект Миллера и ускорить переключение.

Рабочие характеристики

Напряжение 900 V подходит для первичных цепей автономных источников питания, высоковольтных источников, некоторых драйверов LED и электронных балластов. Ток 4.5 A и RDS(on) 2.5 Ω ограничивают применение схемами с невысоким коэффициентом заполнения или периодическим включением, например первичным ключом обратноходового преобразователя. Qg=20 nC и Ciss=950 pF следует учитывать при выборе драйвера и частоты переключения. Низкая Crss=8 pF и Coss=75 pF уменьшают влияние ёмкости Миллера при переключении.

Типичные применения

Главный ключ автономного источника питания умеренной мощности, включая обратноходовые преобразователи и вспомогательные источники питания.
Высоковольтные преобразователи и драйверы, включая некоторые источники постоянного тока для LED и электронные балласты.
Цепи защиты от перенапряжения и ограничения тока.
Высоковольтные переключатели в измерительном и испытательном оборудовании.

Драйвер и тепловой режим

Для полного открытия рекомендуется напряжение управления, близкое к 10 V. При управлении от 5 V следует оценить потери проводимости. Драйвер должен обеспечивать импульсный ток, достаточный для переключения затвора с зарядом Qg=20 nC.

Для снижения звона и электромагнитных помех можно применять последовательный резистор затвора. Требуются надлежащая разводка, защита затвора и тепловой расчёт. Максимальная рассеиваемая мощность Pd=40 W зависит от заданных условий охлаждения; при проектировании следует учитывать тепловое сопротивление корпуса, площадь меди платы и радиатор. Для высоковольтных схем также следует учитывать пути утечки и изоляционные расстояния.

При выборе следует сверяться с полной документацией, включая предельное напряжение затвор–исток, тепловое сопротивление, импульсный ток и энергию лавинного пробоя.