TOSHIBA SSM10N954L,EFF(S

Описание N-канального MOSFET Toshiba SSM10N954L,EFF(S

Основные параметры

Тип: N-канальный MOSFET с индуцированным каналом.
Напряжение сток–исток Vdss: 12V.
Непрерывный ток стока Id: 13.5A при температуре окружающей среды 25℃.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 2.1mΩ при Vgs=4.5V.
Рассеиваемая мощность Pd: 800mW при 25℃.
Пороговое напряжение Vgs(th): 900mV при Id=1.11mA.
Заряд затвора Qg: 25nC при Vgs=4.0V.

Корпус TCSPAC-153001, компактного размера.

Устройство предназначено для низковольтных систем с повышенным током. Низкое RDS(on) уменьшает потери проводимости. Пороговое напряжение 900mV позволяет использовать низковольтные управляющие схемы; фактическое сопротивление открытого канала зависит от Vgs. Заряд затвора 25nC следует учитывать при выборе драйвера.

Типичные применения

Управление питанием портативной электроники, включая смартфоны, планшеты и беспроводные наушники.
Низковольтные преобразователи DC-DC, например 5V→3.3V и 3.3V→1.8V.
Защита литий-ионных аккумуляторов от перезаряда и глубокого разряда.
Приводы малых двигателей, вентиляторов и исполнительных механизмов носимых устройств.
Коммутация нагрузки и переключение силовых цепей интерфейса USB PD.

При проектировании следует соблюдать предел напряжения сток–исток 12V и рекомендованное напряжение Vgs не менее 4.5V для условий, при которых указано RDS(on). Номинальный ток 13.5A приведён для 25℃; при повышении температуры требуется снижение допустимого тока и обеспечение отвода тепла через контактную площадку корпуса и медь платы. Следует учитывать максимальное напряжение затвор–исток ±20V и обеспечить пайку теплоотводящей площадки к плате.