TAIYO YUDEN LBM2016T151J индуктивность

LBM2016T151J

Обзор
LBM2016T151J (сопоставимая модель: LSQMB201616T151J) — проволочный ферритовый чип-индуктор в корпусе 0806 (2016 по метрической системе, около 2.0×1.6 mm). Номинальная индуктивность составляет 150 µH с допуском ±5%, номинальный постоянный ток — 69 mA, сопротивление постоянному току (DCR) — 13.5 Ω, частота собственного резонанса (SRF) — около 6.5 MHz, добротность Q = 15 (частота измерения 0.796 MHz). Устройство предназначено для фильтрации сигнальных линий с низким током и высоким импедансом, а также для подавления синфазных и дифференциальных помех.

Основные электрические параметры
Индуктивность: 150 µH (±5%)
Номинальный ток: 69 mA (рекомендуемый максимальный непрерывный ток)
Сопротивление постоянному току (DCR): 13.5 Ω
Добротность: Q = 15 (0.796 MHz)
Частота собственного резонанса (SRF): 6.5 MHz
Тип: проволочный ферритовый чип-индуктор
Корпус: 0806 (около 2.0 × 1.6 mm)

Особенности и преимущества
Высокая индуктивность: 150 µH в компактном корпусе обеспечивают высокий реактивный импеданс и помогают подавлять помехи в диапазоне от десятков kHz до низких MHz.
Выраженный эффект фильтрации: вблизи частоты измерения 0.796 MHz устройство обеспечивает высокий импеданс, способствуя снижению шума около этой частоты.
Проволочная конструкция: подходит для SMT-монтажа, автоматической установки и пайки оплавлением.
Компактный корпус: размер 0806 удобен для плат с ограниченным пространством.

Области применения
Фильтрация низкоскоростных цифровых сигнальных линий, например медленных последовательных интерфейсов, I²C и интерфейсов датчиков с низким током.
Подавление дифференциальных и синфазных помех в аналоговых сигнальных линиях с учетом допустимого тока и целостности сигнала.
Фильтрация вспомогательных малоточных цепей питания, например RTC и резервного питания.
Подавление EMI / RFI с ослаблением вблизи целевой частоты.

Выбор и меры предосторожности
Ограничение по току: номинальный ток устройства составляет 69 mA. Превышение значения вызывает заметный нагрев и снижение индуктивности, поэтому следует предусмотреть запас по току. Расчетная мощность по формуле I^2·R при номинальном токе составляет P ≈ (0.069 A)^2 × 13.5 Ω ≈ 0.064 W (около 64 mW), тепловой запас ограничен.
Высокое DCR: сопротивление постоянному току 13.5 Ω вызывает падение напряжения в сигнальной цепи или цепи питания. При использовании в сигнальных линиях следует оценить влияние на амплитуду и время нарастания и спада сигнала.
Частотная характеристика: частота собственного резонанса ~6.5 MHz. Выше этой частоты индуктивность снижается, и устройство может проявлять емкостные свойства; оно не подходит для высокочастотной фильтрации в диапазоне нескольких MHz.
Добротность и фактическое подавление: хотя номинальная добротность составляет Q = [email protected], реальный эффект фильтрации также зависит от потерь в обмотке и феррите. Для оптимизации разводки и сопутствующих компонентов следует провести измерения спектра.
Замена и подбор: при необходимости более высокого допустимого тока или меньшего DCR следует рассмотреть компоненты с большим током либо другой конструкцией, например синфазный дроссель, силовой проволочный индуктор или катушку с низким DCR.

Корпус и рекомендации по разводке
Корпус: 0806 (2016). На контактных площадках следует обеспечить хорошее покрытие припоем и сформировать качественные паяные соединения для снижения контактного и теплового сопротивления.
Разводка: включайте индуктор последовательно в подавляемую сигнальную линию и размещайте ближе к источнику помех или разъему. Для синфазного подавления используйте симметричную разводку. Избегайте размещения рядом с цепями высокого тока и мощности, чтобы уменьшить тепловое влияние.
Заземление: для подавления синфазных помех используйте цепь заземления и шунтирующие конденсаторы, формируя сеть LC или π для улучшения широкополосного подавления.

Пайка и надежность
Пайка оплавлением SMT: используйте рекомендованный температурный профиль и пиковую температуру пайки, чтобы избежать превышения максимальной температуры и ухудшения характеристик обмотки и сердечника.
Очистка и химические вещества: применяйте процессы очистки, безопасные для магнитного материала и изоляции обмотки; избегайте длительного контакта с сильными кислотами, щелочами и растворителями.
Механические нагрузки: при монтаже, пайке волной и механических ударах избегайте чрезмерного изгиба и сжатия, способных сместить обмотку или повредить сердечник.
Старение и условия среды: длительная работа при высокой температуре и влажности или перегрузка могут повлиять на индуктивность и потери. При необходимости проведите длительную проверку надежности в заданных условиях.

Типовая схема и рекомендации по проектированию
Последовательное включение: устанавливайте непосредственно в сигнальную линию и согласуйте с выходным и входным импедансом, чтобы избежать отражений и снижения амплитуды сигнала.
LC- и π-фильтры: используйте совместно с шунтирующими конденсаторами для формирования фильтра нижних частот или заграждающего фильтра и усиления подавления в заданном диапазоне.
Настройка: на этапе отладки PCB измеряйте вносимые потери и частотную характеристику анализатором спектра или сетевым анализатором, чтобы проверить фактические свойства фильтрации и скорректировать расположение компонентов и их последовательное или параллельное включение.

LBM2016T151J — проволочный ферритовый чип-индуктор с высокой индуктивностью для малоточных цепей и подавления помех от низких до средне-низких частот. При проектировании учитывайте высокое DCR и ограниченный номинальный ток. Для более высокого тока или меньшего последовательного сопротивления рассмотрите силовой проволочный индуктор или компонент другой конструкции.