WMSIC Электронные компоненты

TECH PUBLIC WNM2016A

МодельWNM2016A
КорпусSOT-23
БрендTECH PUBLIC
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
TECH PUBLIC WNM2016A
Тип
TECH PUBLIC
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
TECH PUBLIC
Модель
WNM2016A
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.029g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0227776284
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
1.25W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Входная емкость (Ciss)
574pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

WNM2016A 产品概述

一、产品简介

WNM2016A 是 TECH PUBLIC(台舟电子)推出的一款小封装 N 沟道场效应晶体管(N‑MOSFET),封装为 SOT‑23,适用于 20V 以下的低压开关与电源管理场合。该器件在 VGS=4.5V 条件下具有较低的导通电阻,适合电池供电与便携设备中作为低侧开关、负载开关或同步整流周边器件使用。

主要基础参数(典型/额定值):

  • 漏源电压 Vdss:20V
  • 连续漏极电流 Id:6A
  • 导通电阻 RDS(on):35 mΩ @ VGS=4.5V, Id=6A
  • 功耗 Pd:1.25W
  • 阈值电压 VGS(th):1V
  • 总栅极电荷 Qg:7.7 nC @ VGS=4.5V
  • 输入电容 Ciss:574 pF @ 10V
  • 反向传输电容 Crss:60 pF
  • 输出电容 Coss:70 pF
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT‑23

二、主要特点

  • 低导通电阻:35 mΩ(4.5V 驱动),在低压大电流路径上能显著降低导通损耗与压降。
  • 小体积封装:SOT‑23,适合空间受限的便携与手持设备。
  • 中等栅极电荷:Qg=7.7 nC,有利于在常见 MCU/驱动器电平下实现较快开关,同时驱动功耗可控。
  • 宽温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃,适用于工业级温度环境。

三、电气与热参数解析

  • 导通损耗示例:在额定条件 Id=6A、RDS(on)=35 mΩ 时,电压降 VDS ≈ 6A × 0.035 Ω = 0.21V;导通功耗 P = I^2·R ≈ 6^2 × 0.035 = 1.26W。注意该导通功耗略高于器件标称耗散功率 1.25W,意味着在未采取良好散热措施的情况下,长时间 6A 连续通过会触及热极限或需降额运行。
  • 栅极驱动能量:以 Qg=7.7 nC、VGS=4.5V 估算,单次开关的栅极能量约 E ≈ 0.5·Qg·VGS ≈ 17.3 nJ;若开关频率为 100 kHz,则栅极驱动功率约 1.73 mW,栅极驱动损耗在多数系统中并不显著,但在更高频率下应考虑驱动器能力与开关损耗。
  • 开关特性相关电容:Ciss=574 pF、Crss=60 pF、Coss=70 pF,属于中等水平,开关时的过渡损耗与寄生耦合需通过合理栅阻与缓冲策略控制。

四、典型应用场景

  • 便携设备电源管理:作为负载开关、通断电路、外设电源控制。
  • 低压 DC‑DC 转换器:低侧开关或同步整流(需注意开关损耗与热管理)。
  • 电池保护与电源路径管理:反向阻断、自动开关。
  • 小功率马达驱动、电机控制与 LED 驱动(需确认连续电流与散热能力)。

五、PCB 布局与热管理建议

  • SOT‑23 为小型封装,热阻相对较大。若需接近或达到额定 6A,应增大铜箔面积并在封装下方扰铜或接地平面以改善散热。
  • 将漏极铜箔与散热层尽量增大,使用多层板下联铜平面以降低结-环境热阻。
  • 在空间允许条件下,考虑使用散热片或改用更大封装(如 SO‑8、DFN)以获得更好的持续传导能力。
  • 在设计时为安全起见对 Pd 做温度降额:高环境温度时降低允许连续电流。

六、驱动与开关性能注意事项

  • 建议以 4.5V 门驱动可获得标称 RDS(on)。若使用 2.5V 或更低电平驱动,应验证 RDS(on) 在该 VGS 下的变化(数据表通常给出 4.5V/10V 下的 RDS(on))。
  • 为抑制振铃与限制 dv/dt,可在门极串联 10~100 Ω 的栅极电阻,根据系统开关速度与 EMI 要求调整。
  • 对于高频开关,应关注 Crss 导致的栅-漏耦合(米勒效应),必要时增加栅极驱动能力或采用缓冲驱动。
  • 体二极管存在于 N‑MOSFET 内部,适用于续流路径,但二极管导通时的能量与热耗需在设计中考虑。

七、选型与使用建议

  • 若系统需要长期稳定的 6A 连续电流,应谨慎评估实际 PCB 散热条件;在通用 PCB 上,建议将工作电流额定在安全边际内(例如低于 6A 或采用脉冲工作模式)。
  • 对于高频开关或高能量应用,优先评估开关损耗、Crss 带来的影响,必要时选择更低 Qg 或更低 Ciss 的器件以降低开关损耗。
  • 若仅为低频或静态开关(例如负载开关),WNM2016A 在体积与 RDS(on) 权衡上具有较好性价比。

八、封装与环境可靠性

  • 封装:SOT‑23(便于自动贴片与小型化设计)。
  • 环境工作温度:-55 ℃ ~ +150 ℃,满足一般工业等级温度要求,但高温下器件热耗需降额使用。

结论:WNM2016A 以其 20V 额定电压、在 4.5V 驱动下 35 mΩ 的低导通电阻和小型 SOT‑23 封装,适合便携设备与低压电源管理用途。设计时应重点关注散热与开关损耗,在连续大电流场合做好 PCB 散热或考虑更大封装以保证可靠性。

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.