TWGMC DTC114EUA цифровой транзистор

DTC114EUA — цифровой транзистор со встроенной базовой резистивной сетью в компактном корпусе SOT-323.

Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 30 (IO=5mA, VCC=5V). Напряжение пробоя коллектор–эмиттер VCEo: 50V. Выходное напряжение во включённом состоянии VO(on): около 300mV (IO=10mA). Минимальное входное напряжение VI(on): около 3V (для IO=10mA); при очень малом токе управления может составлять около 0.3V в зависимости от условий измерения. Максимальное входное напряжение VI(off): около 500mV (Iin=100µA, VCC=5V). Встроенный входной резистор: 13kΩ. Соотношение сопротивлений входной резистивной сети: 1.2. Рассеиваемая мощность Pd: 200mW. Рабочий диапазон температур: -55℃ ~ +150℃.

Встроенный входной резистор 13kΩ позволяет подключать устройство к микроконтроллерам, TTL/CMOS-логике и датчикам. Корпус SOT-323 подходит для компактных схем и плотного монтажа на печатную плату. Напряжение VCEo 50V обеспечивает запас по напряжению для коммутационного управления в пределах допустимой мощности.

Применение: управление реле, малогабаритными электромагнитными клапанами и светодиодами от сигналов MCU и логических схем, сдвиг уровня, буферизация интерфейсов, коммутация и защита в портативной электронике и промышленной автоматике, формирование сигналов и схемы плавного пуска.

Рассеиваемая мощность корпуса SOT-323 составляет 200mW; при выборе тока следует учитывать теплоотвод печатной платы и температуру перехода. Порог VI(on) зависит от тока нагрузки. При высокой частоте переключения и температуре окружающей среды следует контролировать температуру перехода и при необходимости снизить нагрузку или увеличить площадь меди. Соблюдайте меры защиты от ESD и рекомендованный температурный профиль пайки.