TWGMC DTC114EE цифровой транзистор

DTC114EE — цифровой NPN-транзистор со встроенными резисторами смещения в миниатюрном корпусе SOT-523. Подходит для коммутации маломощных нагрузок при прямом управлении логическим сигналом.

Основные характеристики
Коэффициент передачи постоянного тока hFE ≈ 30 при Ic = 5mA, VCE = 5V (тип.).
Напряжение пробоя коллектор—эмиттер Vceo = 50V.
Максимальный ток коллектора Ic = 100mA.
Выходное напряжение насыщения VO(on) ≈ 300mV при заданных условиях испытаний.
Отношение встроенных резисторов — около 1.2; входное сопротивление — около 13kΩ.
Минимальное входное напряжение включения VI(on) ≈ 3V; максимальное напряжение выключения VI(off) ≈ 500mV.
Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃.
Максимальная рассеиваемая мощность Pd = 200mW.

Типичные применения: непосредственное управление небольшими реле, индикаторами, входами оптопар и маломощными приводами от микроконтроллера или логического элемента; преобразование уровней и низковольтная коммутация; бытовая электроника, портативные устройства, коммуникационное оборудование и компактные промышленные платы.

При работе с высокой скважностью или током, близким к 100mA, следует учитывать ограниченный теплоотвод корпуса SOT-523 и мощность Pd = 200mW. Для уровня логики 1.8V или ниже включение может быть недостаточным. Встроенные резисторы обычно позволяют обойтись без внешнего резистора в цепи базы. При необходимости защиту входа следует рассчитывать с учетом условий схемы. Выходное напряжение насыщения около 300mV следует учитывать при расчете запаса напряжения нагрузки.

Корпус: SOT-523, поверхностный монтаж. Рекомендуется пайка оплавлением по профилю для выбранного процесса. Для улучшения отвода тепла можно предусмотреть медные участки рядом с корпусом и тепловые переходные отверстия.