UMW FQD13N10LTM

FQD13N10LTM — силовой MOSFET с N-каналом в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток Vdss составляет 100V, непрерывный ток стока Id — 10A. Устройство предназначено для импульсных преобразователей средней мощности и систем управления питанием. Низкое сопротивление открытого канала и умеренный заряд затвора подходят для понижающих преобразователей, синхронного выпрямления, ключей нагрузки и приводов двигателей.

Основные электрические параметры:
Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
Непрерывный ток стока (Id): 10A
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 142mΩ @ Vgs=10V
Пороговое напряжение затвор-исток (Vgs(th)): 2V @ 250µA
Полный заряд затвора (Qg): 12nC
Входная ёмкость (Ciss): 400pF; ёмкость обратной передачи (Crss): 20pF; выходная ёмкость (Coss): 95pF
Рассеиваемая мощность (Pd): 40W
Рабочий диапазон температуры перехода: -55℃ ～ +150℃

Напряжение 100V обеспечивает запас для высоковольтных периферийных цепей промышленного и автомобильного оборудования. RDS(on) 142mΩ при напряжении управления затвором 10V снижает потери проводимости в схемах со средним током. Значения Qg=12nC и Ciss=400pF обеспечивают умеренную нагрузку на драйвер затвора и совместимость с распространёнными драйверными IC. Корпус TO-252 подходит для поверхностного монтажа и отвода тепла через PCB.

Типовые области применения:
Импульсные источники питания, включая понижающие и повышающие преобразователи, и синхронное выпрямление.
Нижний ключ или защитный ключ в приводах двигателей.
Электронные ключи нагрузки вместо реле или электромагнитных клапанов.
Системы управления питанием и выпрямители на входе инверторов.

Значение Pd=40W относится к идеальным условиям рассеивания; фактический теплоотвод зависит от площади меди PCB и радиатора. Разместите достаточно меди под корпусом TO-252 и на нижнем слое, используя тепловые переходные отверстия (vias) для отвода тепла к внутренним слоям или нижней медной площадке.
Прокладывайте короткие дорожки затвора с контролируемым импедансом, чтобы уменьшить паразитную индуктивность, площадь контура, звон при переключении и EMI.
Размещайте развязывающие конденсаторы рядом с выводами истока и стока, чтобы подавлять переходные выбросы напряжения.
В схемах с высоким dV/dt можно добавить подходящую RC-цепь или TVS для демпфирования и защиты.

Значение RDS(on) указано при Vgs=10V. При управлении логическим уровнем, например 5V или ниже, проверьте фактическое сопротивление открытого канала и потери; для меньших потерь выберите устройство с более низким сопротивлением в диапазоне mΩ.
При высокочастотном переключении заряд Qg=12nC создаёт заметные потери в драйвере затвора, поэтому оцените его возможности и тепловыделение.
Соблюдайте меры защиты от ESD при работе, хранении и транспортировке выводных компонентов.
Оставляйте запас по температуре перехода; для длительной надёжной работы рекомендуется Tj ≤125℃, предельное значение — 150℃.

FQD13N10LTM предназначен для силовых ключей с параметрами 100V/10A, которым подходят умеренные потери проводимости и такое напряжение.