UTC D882SSG-P-AE3-R

Обзор продукта D882SSG-P-AE3-R

Основные характеристики

D882SSG-P-AE3-R — малогабаритный NPN-транзистор с номинальным током коллектора Ic = 3A, напряжением пробоя коллектор—эмиттер Vceo = 30V и рассеиваемой мощностью Pd = 10W (корпус SOT-23). Типовое значение коэффициента усиления по постоянному току hFE составляет 160 (условия измерения: Ic = 1A, Vce = 2V), граничная частота fT ≈ 80MHz, ток отсечки коллектора Icbo ≈ 1µA, типовое напряжение насыщения коллектора—эмиттера VCE(sat) составляет 500mV (при 2A и 0.2A), напряжение пробоя эмиттер—база Vebo = 5V. Транзистор сочетает усилительные и переключающие характеристики для применения при низком и среднем напряжении и высоком токе, включая устройства с ограниченным пространством.

Интерпретация характеристик и рекомендации по проектированию

Ic = 3A позволяет работать с большими импульсными и постоянными токами, что подходит для управления нагрузками.
Vceo = 30V подходит для систем питания уровня 12V и 24V.
hFE = 160 (1A) указывает на хороший коэффициент усиления в режиме большого тока и сравнительно небольшой требуемый ток базы.
fT = 80MHz подходит для усиления в среднечастотном диапазоне и быстрого переключения, включая импульсные преобразователи и схемы управления импульсными нагрузками.
Низкий Icbo (1µA) помогает снизить потери от тока утечки в статическом режиме; при высоком токе следует учитывать потери и нагрев, связанные с VCE(sat).

Корпус и тепловой режим

Компактный корпус SOT-23 подходит для плотной компоновки печатной платы, его возможности отвода тепла ограничены. При заявленной рассеиваемой мощности Pd = 10W следует учитывать тепловые условия:

Увеличьте площадь медных полигонов на печатной плате и соедините их с тепловыми площадками выводов.
Для длительной работы с большим током рассчитайте рассеиваемую мощность и температуру перехода; при необходимости используйте принудительное охлаждение или корпус большего размера.
Учитывайте снижение допустимых параметров в зависимости от температуры окружающей среды и перехода, чтобы оставаться в пределах безопасной области работы (SOA).

Рекомендации по применению

Не допускайте превышения обратным напряжением базы значения Vebo=5V во избежание пробоя перехода база—эмиттер.
При проектировании ограничителя тока базы или схемы управления учитывайте hFE и максимальный Ic, предусмотрев запас; рекомендуется подходящий резистор базы или буферный каскад.
При частых переключениях и кратковременных больших токах учитывайте импульсную мощность и нагрузку, связанные с VCE(sat).
Если требуется более низкое напряжение насыщения, проверьте фактическое значение VCE(sat) в целевом режиме работы.

Типовые области применения

Управление линиями, реле и небольшими двигателями.
Вторичные цепи низковольтных импульсных источников питания и управление синхронным выпрямлением.
Каскады управления аудиоусилителей мощности.
Стандартные силовые переключатели, усиление сигналов и быстрое переключение в среднечастотном диапазоне.

Подбор и замена

Для более высокого допустимого напряжения или улучшенного отвода тепла можно выбрать силовой транзистор в корпусе большего размера, с более высоким Vceo (например, 60V) или более высокой Pd. Для более высокой скорости переключения подойдёт устройство с большей fT. D882SSG-P-AE3-R подходит для низковольтных применений с ограниченным пространством и требованиями к характеристикам уровня 2–3A.