UTC 2P50G-TN3-R

2P50G-TN3-R — одиночный P-канальный MOSFET для высоковольтных коммутационных и защитных схем. Выпускается в корпусе TO-252-2 (DPAK) для поверхностного монтажа.

Основные характеристики:
Тип: P-канальный MOSFET.
Напряжение сток–исток Vdss: 500 V.
Непрерывный ток стока Id: 2 A (при соблюдении условий теплоотвода).
Сопротивление во включенном состоянии RDS(on): 8.5 Ω при Vgs=10 V (тестовый ток 1 A).
Пороговое напряжение Vgs(th): около 2 V.
Полная рассеиваемая мощность Pd: 41 W (зависит от условий теплоотвода).
Заряд затвора Qg: 11.5 nC при 10 V.
Входная емкость Ciss: 343 pF при 100 V.
Выходная емкость Coss: 59 pF.
Емкость обратной передачи Crss: 9 pF при 25 V.
Рабочая температура: -40 ℃ ~ +150 ℃.
Корпус: TO-252-2 (DPAK).

Типичные области применения: высоковольтная коммутация и защита от переполюсовки, промышленные и силовые электронные цепи управления, изолирующие выключатели, измерительное и испытательное оборудование, схемы с высокими требованиями к допустимому напряжению и низким или средним током.

При Vgs=10 V указанные значения RDS(on) и Qg предполагают необходимость достаточного напряжения и импульсного тока управления затвором для быстрого переключения. Для P-канального прибора напряжение затвор–исток обычно задается с отрицательной полярностью относительно истока. Значения Ciss, Coss и Crss влияют на потери при переключении и быстродействие.

Для работы с рассеиваемой мощностью до 41 W необходим эффективный теплоотвод. При проектировании PCB предусмотрите достаточную площадь медного слоя и тепловые переходные отверстия; проверьте температуру перехода и корпуса в реальных условиях. При производстве и монтаже соблюдайте меры защиты от ESD. Не превышайте максимально допустимые напряжения затвор–исток и сток–исток. Храните и эксплуатируйте компонент в условиях, соответствующих его спецификации.

Компонент подходит для высоковольтных коммутационных и защитных применений с низким или средним током. При необходимости уменьшить потери проводимости или увеличить непрерывный ток следует рассмотреть параллельное включение приборов либо модель с меньшим RDS(on).