UTC 2N6718G-B-AB3-R

Обзор: 2N6718G-B-AB3-R

1. Описание
2N6718G-B-AB3-R — высоковольтный NPN-транзистор с большим допустимым током в корпусе SOT-89-3. Предназначен для усилителей мощности и коммутационных схем с ограниченным пространством и требованиями к средней мощности. Рассчитан на нагрузку уровня 1A, сочетает низкое напряжение насыщения с высоким коэффициентом передачи постоянного тока и позволяет управлять значительной нагрузкой от малосигнального источника.

2. Основные электрические параметры
Тип транзистора: NPN, 1 шт.
Ток коллектора Ic: 1A (максимальный)
Напряжение пробоя коллектор—эмиттер Vceo: 100V
Рассеиваемая мощность Pd: номинальная 1W (около 850mW в типовых условиях)
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 300 (характеристика в области малых токов)
Граничная частота fT: 50MHz
Ток отсечки коллектора Icbo: 100nA
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер VCE(sat): около 350mV при заданных условиях Ic/IB
Напряжение пробоя эмиттер—база Vebo: 5V
Диапазон рабочих температур: -40℃ ～ +125℃

3. Корпус и теплоотвод
Компактный корпус SOT-89-3 подходит для поверхностного монтажа и автоматизированного производства. Фактическая рассеиваемая мощность зависит от площади меди PCB и конструкции системы теплоотвода. При работе около номинальной мощности рекомендуется увеличить площадь меди, использовать тепловые переходные отверстия или предусмотреть дополнительную теплоотводящую область.

4. Типичные применения
Коммутационный или усиливающий элемент на входе низковольтных источников питания и линейных стабилизаторов
Управление малыми реле, катушками реле и нагрузками средней мощности
Предварительное усиление аудиосигнала в низко- и среднечастотном диапазоне
Коммуникационное оборудование и промышленные контроллеры, где требуются повышенное напряжение и средняя частота
Автомобильная электроника с учётом требований к броскам напряжения и кратковременным пульсациям

5. Рекомендации по проектированию и использованию
Из-за высокого hFE для управления может потребоваться небольшой ток базы. Для обеспечения быстрого переключения и насыщения в коммутационных схемах следует выбрать подходящий резистор базы или использовать драйвер для управления IB.
Не превышайте Veb 5V и Vce 100V; учитывайте тепловой разбег и область безопасной работы (SOA).
Низкое значение Icbo подходит для схем с малым током утечки. При высокой температуре следует учитывать увеличение тока утечки.
Тепловое сопротивление корпуса SOT-89-3 ограничивает длительную работу при высокой мощности; предусмотрите усиленный теплоотвод на PCB или корпус большей мощности.