WILLSEMI ESD56051N-2/TR

ESD56051N-2/TR — одноканальный двунаправленный ограничитель перенапряжений для защиты от электростатических разрядов (ESD). Предназначен для интерфейсов с рабочим напряжением 3.3V. Защищает от импульсов ESD, EFT и перенапряжений Surge; соответствует требованиям IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 и IEC 61000-4-5.

Основные параметры:
Напряжение ограничения (Vc): 10 V (тип.)
Рабочая температура: -40 ℃ ~ +85 ℃
Напряжение пробоя (Vbr): 3.6 V
Рабочее обратное напряжение (Vrwm): 3.3 V
Пиковая импульсная мощность (Ppp): 550 W (8/20 μs)
Пиковый импульсный ток (Ipp): 55 A (8/20 μs)
Обратный ток (Ir): 100 nA (тип.)
Ёмкость перехода (Cj): 75 pF
Количество каналов: 1; полярность: двунаправленная
Тип: защитный диод ESD
Корпус: DFN1006-2L

Высокая импульсная мощность и пиковый ток обеспечивают поглощение импульсов большой энергии. Низкий ток утечки подходит для дежурных и малопотребляющих схем. Компактный корпус подходит для устройств с ограниченным пространством. Двунаправленная защита применима к двунаправленным и дифференциальным сигналам.

Типовые области применения: защита интерфейсов GPIO, UART, I2C и SPI с уровнем 3.3V; защита линий связи и управления от ESD/EFT; интерфейсы промышленного управления, измерительных приборов и датчиков; компактные модули и мобильные устройства.

Ёмкость перехода около 75 pF может повлиять на высокоскоростные дифференциальные сигналы, включая USB, HDMI и PCIe; при проектировании следует оценить влияние на полосу пропускания.

Рекомендации по монтажу: размещать компонент как можно ближе к защищаемому выводу и сокращать длину дорожек PCB. Обеспечить надёжный путь возврата тока на землю и разместить заземлённую медную область или слой рядом с компонентом. В условиях частых импульсных воздействий или высокой энергии можно добавить предохранитель либо последовательное сопротивление между компонентом и системной землёй. Для корпуса DFN1006-2L следует учитывать рекомендуемые размеры контактных площадок PCB и профиль оплавления.

При выборе проверьте соответствие рабочего напряжения Vrwm (3.3 V). Для сверхвысокоскоростных сигналов рекомендуется оценить влияние ёмкости 75 pF. При высокой температуре или длительных импульсных воздействиях оцените тепловыделение компонента и возможности отвода тепла PCB.