WILLSEMI WPM3021-8/TR

WPM3021-8/TR — P-канальный MOSFET WILLSEMI для коммутации питания и управления нагрузкой при низком и среднем напряжении.

Основные характеристики
Тип: P-канальный MOSFET
Модель: WPM3021-8/TR (WILLSEMI)
Напряжение сток–исток Vdss: 30 V
Непрерывный ток стока Id: 13 A; фактическое значение зависит от условий охлаждения.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 15 mΩ при VGS = -5 V и Id = 7 A
Пороговое напряжение VGS(th): около 1.8 V
Рассеиваемая мощность Pd: 3.8 W для корпуса SOP-8
Полный заряд затвора Qg: 38 nC при |VGS| = 10 V
Входная емкость Ciss: 2.106 nF при 15 V
Выходная емкость Coss: 353 pF при 15 V
Емкость обратной передачи Crss: 274 pF при 15 V
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOP-8

Особенности
Низкое RDS(on) снижает потери проводимости при умеренных токах. Номинальный непрерывный ток 13 A подходит для переключателей питания, вспомогательных переключателей инверторов и отключения нагрузки с учетом теплоотвода печатной платы.
Заряд затвора Qg = 38 nC позволяет использовать микроконтроллер с драйверной схемой или специализированный драйвер. Корпус SOP-8 предназначен для поверхностного монтажа и требует учета теплоотвода через печатную плату.

Типичные применения
Высокобоковые переключатели питания и коммутация нагрузки в системах управления аккумуляторами и портативных устройствах.
Защита от переполюсовки и обратного тока, переключение источников питания.
Вспомогательный переключатель или синхронный элемент в DC-DC-преобразователях в зависимости от топологии.
Коммутационные и защитные цепи в промышленных и коммуникационных источниках питания.

Рекомендации по применению
Для корпуса SOP-8 значение Pd = 3.8 W измерено в заданных условиях. При проектировании учитывайте площадь медных участков печатной платы и тепловые переходные отверстия. При необходимости используйте несколько параллельных компонентов или радиатор.
Для P-канального MOSFET на затвор относительно истока подают отрицательное напряжение. В системе 12 V снижение VGS примерно до -5 V обеспечивает указанное RDS(on). Соблюдайте предельное значение VGS по спецификации компонента.
Заряд Qg и емкость Ciss влияют на потери при переключении; подберите сопротивление затвора и скорость управления с учетом электромагнитных помех и потерь. Емкость Crss = 274 pF влияет на эффект Миллера, поэтому при быстром переключении учитывайте импеданс цепи затвора, чтобы предотвратить колебания и ложное срабатывание.
Для индуктивной нагрузки применяйте подходящую цепь ограничения или демпфирования, например RC или TVS. Сократите путь силового тока между истоком и стоком, размещайте байпасный конденсатор рядом с компонентом, а резистор затвора — у вывода затвора.
При выборе учитывайте нагрев, импульсный ток и старение; проверяйте Id и Pd для фактических температуры и условий охлаждения.

При ограниченном напряжении управления, например ±5 V, сопротивление 15 mΩ при |VGS| = 5 V подходит для высокобокового переключения в системах 12 V/24 V с умеренной нагрузкой. Для меньшего RDS(on) или большей рассеиваемой мощности рассмотрите более крупный корпус, например DPAK или PowerSO. Для частого высокоскоростного переключения учитывайте Qg, Ciss и Crss.

WPM3021-8/TR — P-канальный MOSFET с Vdss 30 V, непрерывным током 13 A, RDS(on) 15 mΩ при |VGS| = 5 V и корпусом SOP-8. Подходит для управления питанием, коммутации нагрузки и защитных цепей при условии надлежащего теплоотвода, управления затвором и разводки платы.