Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
WINSOK WSD6035DN33
Configuration
1 options
Configuration
Date code within 2 years
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
19
характеристик
Основная информация
- Название товара
- WINSOK WSD6035DN33
- Тип
- WINSOK
- Минимальная упаковка
- 5000 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Бренд
- WINSOK
- Модель
- WSD6035DN33
- Шаг
- 1
- Корпус
- DFN3X3-8L
- Количество
- 2 N-канала
- Тип
- N-канальный
- Категория
- Полевой транзистор (MOSFET)
- Вес
- 0.05g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0264498705
- Рабочая температура
- 55℃~+150℃
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 34.7W
- Минимальная упаковочная единица
- Диск
- Минимальное количество в упаковке
- 5000
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- 60V
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
WSD6035DN33 — 高性能沟槽式双N沟道MOSFET产品概述
一、产品简介
WSD6035DN33 是微硕（WINSOK）推出的一款高密度沟槽式双N沟道MOSFET，封装为 DFN3X3-8L。器件在60V耐压下，提供单芯片内双MOSFET配置，适合空间受限且需高效率并联或同步拓扑的电源设计。产品符合RoHS并通过100% EAS认证，具备工业级功能可靠性。
二、主要电气参数
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：40A（单管）
- 导通电阻（RDS(on)）：20mΩ @ Vgs=10V
- 耗散功率（Pd）：34.7W（环境依赖，需合理散热）
- 阈值电压（Vgs(th)）：1.2V
- 总栅极电荷（Qg）：12.6nC @ Vgs=4.5V
- 输入电容（Ciss）：1.37nF；输出电容（Coss）：85pF；反向传输电容（Crss）：64pF
- 工作温度范围：-55℃ 到 +150℃
三、性能亮点
- 低导通电阻与高电流能力：20mΩ 的低RDS(on) 在10V栅压下有利于降低导通损耗，适合中大电流应用。
- 中等栅极电荷：12.6nC 的Qg 在保证切换速度的同时，可控制驱动功耗，适配常用驱动器或电源IC。
- 低寄生电容：较小的 Crss 和 Coss 有利于减小开关损耗和换向振铃，提高高频开关效率。
- 紧凑封装：DFN3X3-8L 尺寸小，利于高密度PCB布局和热路径设计。
四、典型应用场景
- 同步降压转换器（Buck）和同步整流
- 负载开关、功率分配与电源管理模块
- 电机驱动与便携式电源系统
- 服务器与通信设备的点对点电源
五、设计建议与注意事项
- 驱动电压：推荐在10V栅压下工作以获得标称RDS(on)；在逻辑电平驱动下需确认导通损耗。
- 散热处理：尽管Pd=34.7W，但DFN封装热阻相对较高，建议通过底铜铺大面积散热、过孔或散热片降低结温。
- 器件配对与布局：双MOSFET在单封装内便于实现高密度布局，建议对称走线以减小电感和热点。
- 可靠性：符合RoHS且通过EAS认证，适用于商业与工业级电源设计。
六、总结
WSD6035DN33 在60V额定下结合低RDS(on)、适中Qg 和小型DFN封装，为同步降压和高密度电源解决方案提供了良好的性价比选择。在实际应用中，应重视驱动电压与热管理，以发挥其最佳性能。若需进一步的原理图参考、封装尺寸或热阻参数，请参阅厂方完整数据手册或联系供应商获取支持。
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
1 шт. электронная Микросхема Электронный компонент STM32F401RBT6
- Модель
- STM32F401RBT6
- Корпус
