Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
XNRUSEMI XR650SJ24T
Configuration
1 options
Configuration
25+
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
19
характеристик
Основная информация
- Название товара
- XNRUSEMI XR650SJ24T
- Тип
- XNRUSEMI
- Минимальная упаковка
- 2500 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Бренд
- XNRUSEMI
- Модель
- XR650SJ24T
- Шаг
- 1
- Корпус
- TO-220AB
- Количество
- 1 N-канальный
- Категория
- Полевой транзистор (MOSFET)
- Вес
- 1g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0264915690
- Рабочая температура
- 55℃~+150℃
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 25W
- Минимальная упаковочная единица
- Диск
- Минимальное количество в упаковке
- 2500
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- 650V
- Входная емкость (Ciss)
- 1.153nF
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
XR650SJ24T — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET со сверхпереходной структурой. Номинальное напряжение сток–исток Vdss составляет 650V. Предназначен для высоковольтных импульсных источников питания и схем коррекции коэффициента мощности (PFC). Технология Superjunction обеспечивает низкое сопротивление канала и небольшой заряд затвора. Корпус TO-220AB.
Электрические параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET, 1 шт.
• Напряжение сток–исток Vdss: 650 V.
• Непрерывный ток стока Id: 20 A.
• Сопротивление канала RDS(on): 240 mΩ при Vgs = 10 V.
• Рассеиваемая мощность Pd: 25 W.
• Пороговое напряжение Vgs(th): 4 V.
• Входная ёмкость Ciss: 1.153 nF.
• Ёмкость обратной передачи Crss: 1.1 pF.
• Выходная ёмкость Coss: 51 pF.
• Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃.
• Энергия одиночного импульса EAS гарантируется для 100% изделий.
• Соответствует требованиям RoHS.
Типовые применения: каскады Boost PFC, высоковольтные ключи AC/DC-источников питания, промышленные источники питания и модули питания, источники питания светодиодов, управление питанием, высокочастотные схемы, полумостовые и однотактные обратноходовые преобразователи.
Корпус TO-220AB предназначен для монтажа на радиатор или корпус устройства. При высокой нагрузке требуется теплоотвод; следует учитывать увеличение RDS(on) при высокой температуре перехода. Металлическая пластина корпуса обычно соединена со стоком Drain. Для электрической изоляции при монтаже на металлический радиатор применяют изолирующую прокладку. Крутящий момент и материалы теплового интерфейса выбирают согласно требованиям сборки.
Управление затвором: RDS(on) задано при Vgs = 10 V; для получения указанного сопротивления рекомендуется напряжение управления, близкое к 10 V. Пороговое напряжение составляет около 4 V, для включения требуется превышение порога с запасом.
При высокочастотном переключении следует уменьшать паразитную индуктивность цепей затвора, стока и истока. Для подавления звона и выбросов применяют резистор затвора и необходимые демпфирующие цепи. Для индуктивной нагрузки и переходных процессов используют цепи RC или RCD, TVS-диод либо другие подходящие схемы ограничения перенапряжения.
Выводы корпуса TO-220AB, вид со стороны выводов слева направо: Gate, Drain, Source. Металлическая задняя пластина обычно соединена с Drain.
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
STM32F103C6T6A электронная Микросхема Электронный компонент
- Модель
- STM32F103C6T6A
- Корпус
