XNRUSEMI XR200N03G

XR200N03G — N-канальный силовой MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек. Номинальное напряжение сток–исток — 30V, непрерывный ток стока — 200A. Сопротивление в открытом состоянии RDS(on) составляет 2.9 mΩ при Vgs = 10 V. Рассеиваемая мощность Pd — 87W (корпус TO-263), что делает прибор пригодным для мощных синхронных понижающих преобразователей и других высокоэффективных импульсных источников питания.

Основные параметры: тип — N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек; Vdss — 30 V; Id (непрерывный) — 200 A; RDS(on) — 2.9 mΩ при Vgs = 10 V; Pd — 87 W; Vgs(th) — 2.4 V; полный заряд затвора Qg — 143 nC при 10 V; Ciss — 6.272 nF; Crss — 718 pF; рабочая температура — -55 ℃ ~ +150 ℃; корпус — TO-263 (D2PAK). Соответствует RoHS; заявлены 100% проверка стойкости к лавинной энергии EAS и квалификация по функциональной надёжности.

Особенности: низкое RDS(on) уменьшает потери проводимости при большом токе; непрерывный ток 200 A подходит для параллельного включения и мощных ключевых каскадов. Высокая плотность ячеек траншейной структуры обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии при сохранении характеристик переключения.

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором Vgs = 10 V. При логическом уровне 4.5–5 V сопротивление в открытом состоянии заметно возрастает. Значение Qg = 143 nC требует достаточного тока драйвера для управления потерями и скоростью переключения. Для зарядки затвора за 100 ns требуется пиковый ток около 1.43 A. Большое значение Crss (718 pF) указывает на выраженный эффект Миллера; рекомендуется сокращать контур затвор–сток и подбирать резистор затвора для подавления звона и электромагнитных помех.

Корпус TO-263 (D2PAK) обеспечивает теплоотвод через плату; фактическая рассеиваемая мощность зависит от конструкции PCB. Для отвода тепла применяют широкие медные площадки, тепловые переходные отверстия и нижнюю тепловую площадку либо радиатор. Значение Pd = 87 W относится к заданным условиям теплоотвода. В реальном устройстве температуру перехода рассчитывают с учётом теплового сопротивления PCB и необходимого запаса.

Типичные применения: синхронные понижающие преобразователи, серверные и телекоммуникационные источники питания, модули питания «точка-точка», драйверы двигателей, силовые ключевые каскады, автомобильная электроника уровня 30V, промышленные источники питания и системы управления аккумуляторами.

При управлении от источника 5 V или ниже следует оценить RDS(on) при Vgs = 4.5–5 V и проверить тепловой бюджет. При высокой частоте переключения учитывают мощность управления затвором: Pdrive = Qg × Vdrive × fsw. Для индуктивной нагрузки и высоких dv/dt заявленная стойкость EAS повышает устойчивость системы; нагрузку следует проектировать с ограничением напряжений и цепями подавления выбросов.