XNRUSEMI XR150N03F

XR150N03F — обзор

XR150N03F — траншейный N-канальный MOSFET с высокой плотностью ячеек, оптимизированный для синхронных понижающих преобразователей и коммутации больших токов. При напряжении сток–исток 30V обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и большой допустимый ток. Применяется в серверных, телекоммуникационных и промышленных источниках питания, а также в высокопроизводительных DC–DC преобразователях.

Основные электрические параметры

Количество: 1 N-канальный прибор
Напряжение сток–исток Vdss: 30 V
Непрерывный ток стока Id: 150 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 1.5 mΩ @ Vgs = 10 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 87 W
Полный заряд затвора Qg: 143 nC @ 24 V
Входная ёмкость Ciss: 6.272 nF
Ёмкость обратной передачи Crss: 718 pF
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: PDFN-8L (5 x 6)
Соответствует RoHS.

Характеристики и работа

Траншейная структура с высокой плотностью ячеек обеспечивает низкое RDS(on) 1.5 mΩ @ 10V, что снижает потери проводимости при большом непрерывном токе. Допустимый непрерывный ток стока составляет 150A.

Полный заряд затвора Qg составляет 143 nC (@24V). При высокочастотном переключении следует учитывать энергию управления затвором и возможности драйвера. Достаточный ток драйвера обеспечивает быстрое переключение и контролируемые потери.

Входная ёмкость Ciss и ёмкость обратной передачи Crss помогают оценить переходные процессы и требования к управлению. С учётом Qg прибор подходит для низких и средних частот переключения; оптимизация драйвера и разводки позволяет применять его на более высоких частотах.

Типовые применения

• Синхронные понижающие преобразователи: основной ключ или MOSFET синхронного выпрямителя
• Высокоплотные DC–DC модули и блоки управления питанием (PMU)
• Выходные каскады и модули промежуточной шины серверных и телекоммуникационных источников питания (MBR/синхронное выпрямление)
• Промышленные источники питания и коммутация больших токов
• Коммутация нагрузок, требующая низких потерь проводимости и высокой надёжности

Рекомендации по проектированию

Управление затвором: из-за высокого Qg рекомендуется драйвер с большим пиковым током. Используйте напряжение, близкое к номинальному Vgs, при котором указано RDS(on) (10V), либо выбирайте подходящее напряжение управления по требованиям системы. Обычно 10–12V обеспечивает низкое RDS(on). При управлении 24V учитывайте допустимый предел Vgs и используйте подходящую схему управления или резистор затвора для ограничения тока и контроля переключения.

Разводка PCB: для реализации низкого RDS(on) соедините выводы D/S с медными проводниками большой площади и низкого сопротивления. Используйте тепловые переходные отверстия для передачи тепла на внутренние слои или радиатор. Сократите контур затвора и разместите конденсатор между затвором и истоком рядом с MOSFET, чтобы снизить паразитную индуктивность и помехи.

Тепловой режим: Pd=87W указано для определённых условий охлаждения. Рассчитывайте температуру перехода с учётом нагрева и теплового сопротивления PCB. Для надёжной работы применяйте теплоотводящую медь, радиатор или принудительное воздушное охлаждение.

Частота переключения: низкое RDS(on) снижает потери проводимости, а высокий Qg увеличивает потери переключения и энергопотребление драйвера. При выборе частоты учитывайте оба вида потерь; оптимизируйте сопротивление затвора, ток драйвера и мёртвое время для повышения эффективности и управления распределением тепла.

Соответствие требованиям: изделие соответствует RoHS и требованиям к экологичной продукции; заявлена комплексная проверка надёжности.

XR150N03F объединяет низкое сопротивление открытого канала и способность работать с большими токами в компактном корпусе PDFN-8L (5x6). Для эффективной работы требуется учитывать управление затвором и теплоотвод PCB.