XNRUSEMI XR3400AL

XR3400AL — N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек в компактном корпусе SOT23-3L. Устройство оптимизировано для маломощной коммутации и переключения нагрузки; подходит для портативной электроники, управления питанием, переключения нагрузки и общих задач коммутации. Соответствует RoHS и требованиям к экологичной продукции.

Основные электрические параметры

Напряжение сток–исток Vdss: 30 V
Непрерывный ток стока Id: 6 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 23 mΩ @ Vgs = 10 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 1.5 W
Пороговое напряжение Vgs(th): около 0.9 V
Полный заряд затвора Qg: 4.8 nC @ Vgs = 15 V
Входная ёмкость Ciss: 602 pF
Ёмкость обратной передачи Crss (Miller): 42 pF
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT23-3L

Особенности и применение

RDS(on) 23 mΩ при управлении 10 V снижает потери проводимости в маломощных схемах. Заряд затвора Qg = 4.8 nC обеспечивает умеренные потери переключения и требования к мощности драйвера; возможна работа с маломощным драйвером или интерфейсом управления MCU. Компактный корпус SOT23-3L подходит для ограниченного пространства и поверхностного монтажа. Диапазон температур -55 ℃ ~ +150 ℃ рассчитан на применение в промышленных условиях.

Типовые применения: низковольтный выключатель нагрузки постоянного тока, включая коммутацию питания периферийных устройств; защита батарей и управление питанием портативных устройств и мобильных терминалов; маломощные ключи синхронного выпрямителя или понижающего преобразователя; управление обратным током, переключение питания и изоляция нагрузки; приводы малых двигателей постоянного тока и интеллектуальные выключатели.

Рекомендации по проектированию

Значение RDS(on) задано при Vgs = 10 V. При управлении 10 V потери проводимости будут минимальны; при 4.5 V или 5 V следует оценить увеличение сопротивления канала, мощность рассеяния и нагрев.

N-канальный прибор предпочтительно использовать как нижний ключ, подключённый к стороне земли. Для верхнего ключа потребуется повышающий драйвер затвора, драйверная микросхема или насос заряда.

Приблизительная мощность управления затвором: Pgate ≈ Qg × Vdrive × fSW. Например, при Vdrive = 10 V и fSW = 100 kHz: Pgate ≈ 4.8 nC × 10 V × 100 kHz = 4.8 mW. При высокой частоте или частых переключениях учитывайте потери переключения и нагрев устройства.

Crss = 42 pF влияет на фронты переключения и помехоустойчивость. Для улучшения переходного процесса предусмотрите подходящий резистор затвора и RC-цепь подавления звона.

Для корпуса SOT23-3L значение Pd = 1.5 W указано для заданных условий отвода тепла. Увеличьте площадь меди PCB, используйте тепловые переходные отверстия и расширьте плоскости земли или питания для снижения температуры перехода.

При работе с индуктивной нагрузкой для защиты от переходного напряжения рекомендуется использовать параллельный TVS или диод, RC-цепь и подходящие средства ограничения тока или предохранитель.

Корпус и надёжность

Корпус SOT23-3L подходит для автоматизированного монтажа и компактной разводки PCB. Выводы и чертёж корпуса приведены в технической документации. Для отвода тепла предусмотрите увеличенную площадь меди и переходные отверстия между слоями.