XNRUSEMI XR90N03

XR90N03 — траншейный силовой MOSFET с N-каналом и высокой плотностью ячеек для синхронных понижающих преобразователей и высокотоковых ключевых схем. Сопротивление в открытом состоянии снижено, а характеристики переключения подходят для эффективной работы. Корпус TO252-3L обеспечивает теплоотвод и передачу большого тока при ограниченном пространстве.

Основные параметры: модель XR90N03; N-канал, 1 шт.; Vdss: 30 V; непрерывный ток стока Id: 90 A; RDS(on): 3.2 mΩ при Vgs = 10 V; максимальная рассеиваемая мощность Pd: 46 W; Vgs(th): 1.6 V; полный заряд затвора Qg: 20 nC при 15 V; входная ёмкость Ciss: 2.088 nF; ёмкость обратной передачи Crss: 209 pF; рабочая температура от -55 ℃ до +150 ℃; корпус TO252-3L.

Низкое RDS(on) = 3.2 mΩ при 10 V снижает потери проводимости в низко- и средневольтных высокотоковых схемах. Qg = 20 nC при 15 V позволяет согласовать устройство с распространёнными драйверами затвора. Диапазон рабочей температуры от -55 ℃ до +150 ℃ и Pd = 46 W подходят для схем высокой плотности мощности.

Типовые применения: синхронные понижающие стабилизаторы и модули питания, питание серверов и телекоммуникационного оборудования, преобразователи point-of-load, системы управления аккумуляторами и распределения питания, низко- и средневольтный привод двигателей и силовые ключи.

Для получения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение драйвера затвора 10–12 V. При высокочастотном переключении Qg=20 nC требует достаточного импульсного тока драйвера. Учитывайте вклад Crss (209 pF) и Qg в потери переключения и выбирайте частоту с учётом эффективности системы.

Для теплоотвода предусмотрите широкие медные участки на печатной плате, сократите площадь контуров сигнального и силового токов и оптимизируйте путь отвода тепла. При необходимости используйте радиатор или тепловые переходные отверстия к теплоотводящему слою. Размещайте низкоимпедансные шунтирующие конденсаторы рядом с выводами питания, чтобы уменьшить выбросы напряжения и звон.