XNRUSEMI XR3134

XR3134 — N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек

XR3134 — N-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек в сверхкомпактном корпусе SOT-523. Номинальное напряжение сток–исток составляет 20V, непрерывный ток стока — до 750mA, типичное сопротивление открытого канала при управлении 4.5V — 145mΩ. Соответствует RoHS.

Основные электрические параметры

Напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 750 mA
Сопротивление открытого канала RDS(on): 145 mΩ @ Vgs = 4.5 V
Рассеиваемая мощность Pd: 170 mW
Пороговое напряжение Vgs(th): 0.7 V (тип.)
Полный заряд затвора Qg: 1 nC @ Vgs = 10 V
Входная ёмкость Ciss: 60 pF
Ёмкость обратной передачи Crss: 12 pF
Рабочий диапазон температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-523

Особенности

Траншейная структура с высокой плотностью ячеек обеспечивает низкое сопротивление открытого канала. Низкое пороговое напряжение 0.7V облегчает включение в системах с низким напряжением питания. Небольшой заряд затвора Qg = 1 nC подходит для высокочастотного переключения и схем с ограниченной мощностью управления. Малые входная и выходная ёмкости снижают потери при переключении и влияние обратной передачи. Соответствует RoHS.

Типичные области применения

Ключи нагрузки и управление цепями питания устройств с аккумуляторным питанием
Управление питанием и защита от отключения в мобильных и портативных электронных устройствах
Маломощные понижающие преобразователи DC-DC и байпасные ключи; для применения в качестве верхнего или нижнего ключа оцените напряжение управления
Коммутация сигналов, ограничение тока и управление включением/выключением
Другие маломощные схемы коммутации с ограниченным пространством

Рекомендации по применению

Компактный корпус имеет повышенное тепловое сопротивление. Рассеиваемая мощность Pd = 170 mW подходит для маломощных режимов при комнатной температуре. Избегайте длительной работы с большим током и высокой рассеиваемой мощностью. Для улучшения теплоотвода используйте широкие медные участки и тепловые переходные отверстия на PCB.

Номинальное значение RDS(on) измерено при Vgs = 4.5V. При меньшем напряжении управления, например 3.3V, сопротивление открытого канала возрастает; оцените потери и нагрев в фактической схеме.

Небольшой заряд затвора обеспечивает быстрое переключение при малом токе управления. Для ограничения звона и EMI рекомендуется установить небольшой последовательный резистор затвора (10–100Ω) и правильно разместить обходные конденсаторы.

В схемах с аккумуляторами и возможностью короткого замыкания рекомендуется предусмотреть защиту от перегрузки по току и перегрева. При пайке в корпусе SOT-523 соблюдайте профиль оплавления и требования к контактным площадкам для обеспечения надёжного соединения.