XNRUSEMI XR80N03C

XR80N03C — MOSFET с N-каналом

Основные параметры

XR80N03C — низковольтный силовой MOSFET с N-каналом и индуцированным каналом. Параметры оптимизированы для промышленных устройств и потребительской электроники.

Напряжение пробоя сток—исток (V_{dss}=30V); непрерывный ток стока (I_d=80A); сопротивление во включённом состоянии (R_{DS(on)}=4.2mΩ) при (V_{gs}=10V), (I_d=20A); пороговое напряжение (V_{gs(th)}=1.5V); полный заряд затвора (Q_g=34nC) при (V_{gs}=15V); входная ёмкость (C_{iss}=1.76nF); ёмкость обратной передачи (C_{rss}=172pF); рассеиваемая мощность (P_d=71W); диапазон рабочих температур (-55℃\sim+150℃); корпус TO-252-3L (DPAK).

Ключевые характеристики

Низкое сопротивление во включённом состоянии 4.2mΩ при напряжении затвора 10V снижает потери проводимости: при нагрузке 20A потери составляют (I^2R=20^2×4.2mΩ=1.68W), а при нагрузке 50A — 10.5W.

Диапазон рабочих температур -55℃~+150℃ и рассеиваемая мощность 71W подходят для эксплуатации в промышленной среде и при длительной работе под нагрузкой.

Пороговое напряжение 1.5V совместимо с выходами MCU 3.3V и 5V.

Полный заряд затвора 34nC и параметры ёмкости обеспечивают сбалансированные характеристики переключения для применений с частотой до 100kHz.

Корпус и области применения

XR80N03C выполнен в корпусе TO-252-3L (DPAK) для поверхностного монтажа. Размеры: 6.5mm×5.0mm×2.3mm. Нижняя теплоотводящая площадка может соединяться с медью PCB; площадь меди более 2cm^2 или небольшой радиатор помогают отводить тепло.

Типовые области применения: приводы электродрелей, газонокосилок и электрических гаечных ключей; ключи в адаптерах быстрой зарядки 65W/100W PD; управление зарядом и разрядом портативных аккумуляторов и систем накопления энергии; низковольтные приводы двигателей и схемы управления реле; преобразователи питания ноутбуков и игровых консолей.

Рекомендации по применению

Максимальное напряжение управления затвором — 20V. Рекомендуется управление 10V~15V.

Для теплоотвода корпуса TO-252 следует предусмотреть тепловые переходные отверстия (≥4) или увеличить площадь меди (≥2cm²). При температуре окружающей среды выше 85℃ используйте небольшой радиатор.

Затвор MOSFET чувствителен к электростатическому разряду; при производстве и испытаниях используйте средства защиты от электростатического разряда, а устройство храните в антистатической упаковке.

Crss = 172pF может вызывать эффект Миллера. Для подавления выбросов рекомендуется последовательно включить резистор 10Ω20Ω в цепь затвора либо подключить конденсатор 1nF10nF параллельно стоку и истоку.

При повышении температуры окружающей среды на каждый 1℃ непрерывный ток следует снизить на 0.2A (например, при 100℃ ток снижается примерно до 50A).

XR80N03C сочетает низкое напряжение, большой ток, малые потери и широкий температурный диапазон. Подходит для силовых применений в электроинструментах, зарядных устройствах и других устройствах.