XNRUSEMI XR50N03D

XR50N03D — монолитный MOSFET с N-каналом и траншейной структурой высокой плотности ячеек, предназначенный для синхронных понижающих преобразователей и высокоэффективных силовых каскадов.

Основные параметры

Тип: MOSFET с N-каналом
Vdss: 30 V
Id: 50 A
RDS(on): 8.5 mΩ @ Vgs = 10 V
Vgs(th): 2.5 V (тип.)
Qg: 12.8 nC @ Vgs = 4.5 V
Pd: 18 W
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: PDFN3333-8L
Соответствует требованиям RoHS; гарантирована энергия лавинного пробоя (Avalanche Energy).

Низкое сопротивление RDS(on) снижает потери проводимости при высоком токе. Заряд затвора Qg=12.8 nC обеспечивает баланс между энергией управления и потерями переключения. Гарантированная энергия лавинного пробоя поддерживает работу с индуктивной нагрузкой и повышает устойчивость к импульсным воздействиям.

Области применения: силовые ключи синхронных понижающих преобразователей, высокоэффективные модули DC-DC, источники питания серверов и телекоммуникационного оборудования, системы управления аккумуляторами, ключи питания и нагрузки, низковольтные ключи приводов двигателей.

Для получения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления Vgs ≈ 10 V. При логическом уровне 4.5 V сопротивление открытого канала увеличивается; его следует оценить с учетом теплового режима системы. Оценка потерь управления затвором: P_gate ≈ Qg × Vdrive × f_sw. Например, при Qg=12.8 nC, Vdrive=10 V и f_sw=500 kHz получаем P_gate ≈ 0.064 W.

Последовательный резистор затвора 5–20 Ω помогает контролировать dv/dt, уменьшать звон и защищать драйвер. При высокой частоте переключения номинал можно корректировать для баланса потерь и EMI.

Для корпуса PDFN3333-8L требуется продуманное тепловое проектирование PCB: предусмотрите тепловую площадку под кристаллом и у выводов, а также медные слои большой площади и тепловые переходные отверстия. Номинальная рассеиваемая мощность 18 W зависит от размеров PCB, толщины меди и условий охлаждения; рассчитывайте температуру перехода по фактическому RθJA и закладывайте запас. Для силовых цепей используйте короткие широкие медные проводники.

Гарантия энергии лавинного пробоя не отменяет необходимости в защитных элементах: рекомендуется применять обратный диод, RC-снаббер или TVS, особенно при частом обратном восстановлении или нестабильном питании. Соблюдайте требования защиты MOSFET от ESD при монтаже и испытаниях. Также следует предусмотреть защиту от короткого замыкания OC / SCP, перегрева OTP и использовать подходящий алгоритм плавного запуска.

При высоком рабочем напряжении или высокой плотности мощности оцените необходимость меньшего RDS(on) или большего Vdss. При управлении низким уровнем (≤5 V) проверьте кривую RDS(on) при соответствующем Vgs. Корпус PDFN3333-8L сочетает компактные размеры с высокой токовой нагрузочной способностью.