WMSIC Электронные компоненты

XNRUSEMI XR60N03D

МодельXR60N03D
КорпусPDFN3333-8L
БрендXNRUSEMI
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
XNRUSEMI XR60N03D
Тип
XNRUSEMI
Минимальная упаковка
5000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
XNRUSEMI
Модель
XR60N03D
Шаг
1
Корпус
PDFN3333-8L
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.112g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0264844113
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
25W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
5000
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

XR60N03D — N-канальный силовой MOSFET

XR60N03D — N-канальный силовой MOSFET для низко- и средневольтных систем с большим током. Сочетает низкое сопротивление открытого канала, широкий температурный диапазон и компактный корпус. Предназначен для промышленных источников питания, систем управления аккумуляторами и электроприводов.

### Основные характеристики

- Напряжение сток–исток Vdss: 30 V.
- Непрерывный ток стока Id: 60 A при 25 ℃; при температуре перехода 150 ℃ требуется снижение номинала. Для точного значения следует использовать графики в datasheet.
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 6 mΩ при Vgs = 10 V.
- Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V при 250 uA.
- Полный заряд затвора Qg: 34 nC при 4.5 V.
- Входная ёмкость Ciss: 1.6 nF; ёмкость обратной передачи Crss: 215 pF.
- Рабочая температура: -55℃~+150℃.
- Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 25 W.
- Корпус: PDFN-8L, 3.3×3.3mm.

### Особенности и применение

При непрерывном токе 60 A расчётные потери проводимости составляют I²R = 60²×6mΩ = 21.6W, что близко к Pd = 25W. Для стабильной работы требуется эффективный отвод тепла, например увеличение площади медных участков печатной платы.

Пороговое напряжение 2.5 V соответствует управлению логическими уровнями 3.3V/5V. Заряд затвора 34nC при 4.5V обеспечивает умеренные потери управления. Сочетание Ciss = 1.6nF и Crss = 215pF подходит для высокочастотных DC-DC преобразователей с частотой 100kHz-500kHz.

Корпус PDFN-8L занимает меньше места, чем TO-220, а контактная площадка с обратной стороны может припаиваться непосредственно к медному участку платы для отвода тепла. Указанное типовое тепловое сопротивление Rth(j-a)≈10℃/W.

Типовые области применения: синхронные понижающие DC-DC преобразователи, BMS, зарядные устройства, приводы малых электродвигателей и силовые ключи. Для систем 12V/24V и аккумуляторных сборок следует учитывать запас по напряжению и условия охлаждения.

### Сравнение

| Модель | RDS(on) при 10V | Qg при 4.5V | Корпус | Особенности |
|---|---:|---:|---|---|
| XR60N03D | 6mΩ | 34nC | PDFN-8L | Компактный корпус, низкое сопротивление открытого канала |
| IRFB3076 | 7mΩ | 30nC | TO-220 | Более высокая скорость переключения, крупный корпус |
| AO3460 | 8mΩ | 28nC | SOT-23-6 | Ток 30A, очень компактный корпус |

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.