WMSIC Электронные компоненты

XNRUSEMI XR4N10L

МодельXR4N10L
КорпусSOT-23-3L
БрендXNRUSEMI
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
XNRUSEMI XR4N10L
Тип
XNRUSEMI
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
XNRUSEMI
Модель
XR4N10L
Шаг
1
Корпус
SOT-23-3L
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.035g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0264974432
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
26.6W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Входная емкость (Ciss)
655pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

XR4N10L — высокопроизводительный транзистор MOSFET с траншейной структурой и N-каналом

XR4N10L — N-канальный транзистор MOSFET с траншейной структурой. Максимальное напряжение сток–исток Vdss составляет 100V, непрерывный ток стока Id — 4A, типичное сопротивление открытого канала RDS(on) — 120mΩ при Vgs=10V. Корпус SOT-23-3L. Транзистор предназначен для синхронных понижающих преобразователей и импульсных схем малой и средней мощности.

Основные электрические параметры:
Vdss: 100V
Id (непрерывный): 4A
RDS(on): 120mΩ при Vgs = 10V
Vgs(th): около 2V
Полный заряд затвора Qg: 14.8nC (измерение при 50V)
Входная емкость Ciss: 655pF; емкость обратной передачи Crss: 24pF
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 26.6W
Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃

Типичные применения: верхний или нижний ключ синхронного понижающего (Buck) преобразователя, модули питания DC-DC, управление питанием малой мощности, системы с батарейным питанием и переключением резервного питания, приводы малых двигателей и силовые ключи.

Для достижения номинального RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором Vgs 10V. При более низком напряжении управления, например 4.5V, сопротивление RDS(on) увеличивается. Значение Qg=14.8nC следует учитывать при высокочастотном переключении: драйверу требуется обеспечить достаточный импульсный ток.

Теплоотвод корпуса SOT-23-3L ограничен. Для снижения температуры перехода рекомендуется предусмотреть на PCB большую площадь медного полигона и тепловые переходные отверстия. Рассеиваемую мощность в установившемся режиме можно оценить по формуле P = I^2·RDS(on).

Для уменьшения паразитной индуктивности рекомендуется использовать короткую и широкую цепь затвора. Последовательный резистор 5–20Ω между затвором и драйвером помогает подавить звон и контролировать dV/dt. Параллельный конденсатор 100nF рядом с истоком стабилизирует опорный потенциал управления.

При коммутации индуктивной нагрузки рекомендуется использовать TVS или RC-снаббер для ограничения перенапряжения и обратного тока энергии. Типовая распиновка SOT-23-3L: Gate / Drain / Source; уточняйте ее по документации конкретного изделия.

Устройство прошло испытание на лавинную стойкость и соответствует требованиям RoHS. XR4N10L предназначен для силовых ключей на 100V, включая синхронные понижающие преобразователи.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.