XNRUSEMI XR30P02D

XR30P02D — MOSFET с P-каналом

XR30P02D — MOSFET с P-каналом и индуцированным каналом, предназначенный для низковольтных систем с большим током. Подходит для бытовой электроники и промышленного управления.

Основные параметры

• Напряжение сток–исток Vdss: 20V.
• Максимальный непрерывный ток стока Id: 30A.
• Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 10mΩ при Vgs = 4.5V и токе 10A.
• Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 18W.
• Пороговое напряжение Vgs(th): 700mV.
• Заряд затвора Qg: 35nC при управлении 10V.
• Входная ёмкость Ciss: 2.8nF; ёмкость обратной передачи Crss: 590pF.
• Рабочая температура: от -55℃ до +150℃.
• Корпус: PDFN3333-8L, размер 3.3×3.3mm.

Низкое RDS(on) уменьшает потери проводимости. Пороговое напряжение позволяет использовать управляющие сигналы 3.3V и 5V. Компактный корпус подходит для плат с высокой плотностью монтажа. Для охлаждения тепло отводится через контактные площадки и медь печатной платы.

Области применения: защита аккумуляторов и управление питанием портативных устройств, низковольтные ключи адаптеров USB PD, управление двигателями постоянного тока и реле, модули питания бытовой электроники, вспомогательные ключи автомобильных систем 12V.

Рекомендации по применению

• Рекомендуемый диапазон Vgs: от -4.5V до -10V; не превышайте -12V.
• При непрерывном токе свыше 20A предусмотрите на печатной плате достаточную площадь медного слоя толщиной не менее 1oz либо установите небольшой радиатор.
• При температуре окружающей среды выше 100℃ ограничьте непрерывный ток до 20A.
• Защищайте затвор от электростатического разряда при пайке и хранении.