XNRUSEMI XR50N06

XR50N06 — высокопроизводительный силовой N-канальный транзистор MOSFET с высокой плотностью ячеек, предназначенный для синхронных понижающих преобразователей и эффективных импульсных источников питания. Напряжение сток–исток составляет 60V; устройство обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокий допустимый ток.

Основные параметры:
Тип: N-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 60 V
Непрерывный ток стока Id: 50 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 17 mΩ при Vgs = 10 V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 2.5 V
Полный заряд затвора Qg: 50 nC при 10 V
Входная емкость Ciss: 2.9 nF
Емкость обратной передачи Crss: 120 pF
Выходная емкость Coss: 140 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 87.7 W
Диапазон рабочих температур перехода Tj: -55 ℃ ~ +175 ℃
Корпус: TO252-3L (DPAK)

Типичные применения: верхний или нижний ключ синхронного понижающего преобразователя (для верхнего ключа требуется соответствующий драйвер), модули питания DC-DC, блоки управления питанием, приводы двигателей, силовые ключи, переключатели нагрузки, схемы горячего подключения и защиты питания.

Сопротивление RDS(on) 17 mΩ при управлении 10 V обеспечивает низкие потери проводимости при средних и высоких токах. Ток 50 A подходит для многих платных источников питания и силовых ключей. Значения Ciss, Coss и Crss обеспечивают баланс характеристик переключения.

Корпус TO252-3L (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа и теплоотвода. Фактическое значение Pd зависит от условий отвода тепла. Для снижения теплового сопротивления между переходом и окружающей средой используйте достаточную площадь меди PCB и теплопроводящие слои. При большом токе рекомендуется широкая медная дорожка или теплоотводящая подложка; контактная площадка должна иметь хорошее соединение с медным полигоном.

Для достижения номинального RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10 V. При использовании логического уровня проверьте потери проводимости при Vgs 4.5 V или ниже. Полный заряд затвора 50 nC требует низкоомного драйвера для уменьшения потерь и времени переключения. Учитывайте индуктивность контура управления и используйте снаббер для подавления звона.

Для уменьшения сопротивления проводника и паразитной индуктивности применяйте короткие и широкие медные дорожки. При размещении емкостных и индуктивных компонентов рядом с узлом переключения соблюдайте необходимые интервалы и предусмотрите развязку. Устройство прошло испытание на лавинную стойкость; при проектировании соблюдайте область безопасной работы (SOA) и избегайте повторных перегрузок и циклов перегрева.

XR50N06 прошел испытание на лавинную стойкость и предназначен для источников питания промышленного и потребительского оборудования.