XNRUSEMI XR4886D

XR4886D — MOSFET с N-каналом

XR4886D — MOSFET средней мощности с N-каналом, предназначенный для низковольтных систем с большим током. В корпусе 3.3×3.3mm он обеспечивает токовую нагрузочную способность и контроль потерь проводимости. Подходит для DC-DC-преобразователей, защиты аккумуляторов и приводов малых двигателей.

Основные характеристики

• Напряжение сток–исток Vdss: 40V.
• Непрерывный ток стока Id: 20A.
• RDS(on): 17mΩ при Vgs = 10V и токе 8A.
• Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 3W при 25℃.
• Заряд затвора Qg: 12nC при 20V.
• Входная ёмкость Ciss: 633pF при 20V; ёмкость обратной передачи Crss: 58pF при 20V.
• Пороговое напряжение Vgs(th): 1.5V.
• Рабочая температура: от -55℃ до +150℃.
• Корпус: PDFN-8L, 3.3×3.3mm.

При 8A потери проводимости, рассчитанные как I²×R, составляют около 1.088W. Значение 20A относится к непрерывному току; фактическая допустимая нагрузка зависит от охлаждения. Pd = 3W указано для температуры окружающей среды 25℃. При эксплуатации учитывайте теплоотвод и снижение допустимой мощности.

При Vgs = 10V и Qg = 12nC энергия управления затвором составляет около 60nJ. Ciss и Crss подходят для частот переключения порядка 100kHz. Vgs(th) = 1.5V; пороговое напряжение совместимо с логическими сигналами 3.3V и 5V.

Корпус PDFN-8L имеет площадь 3.3×3.3mm. Нижний контакт стока обеспечивает отвод тепла через площадку на печатной плате. Бесвыводная конструкция уменьшает риск повреждения выводов и подходит для поверхностного монтажа.

Типовые применения: DC-DC-преобразователи 12V в 5V/3.3V, схемы защиты аккумуляторов с управлением зарядом и разрядом, приводы малых двигателей, ключи нагрузки и управление питанием USB PD.