XNRUSEMI XR20N06D

XR20N06D — силовой MOSFET с N-каналом и канавочной структурой, рассчитанный на напряжение сток—исток 60V. Предназначен для синхронных понижающих преобразователей и импульсных источников питания.

Основные параметры: непрерывный ток стока Id — 20A; сопротивление открытого канала RDS(on) — 28 mΩ при Vgs = 10V; рассеиваемая мощность Pd — 34.7W; заряд затвора Qg — 20.3 nC при Vgs = 30V; входная ёмкость Ciss — 1.148 nF; ёмкость обратной передачи Crss — 49.4 pF; диапазон рабочих температур — -55 ℃ ~ +150 ℃. Корпус PDFN3333-8L.

Ключевые особенности: низкое сопротивление открытого канала снижает потери проводимости; заряд затвора обеспечивает баланс между скоростью переключения и энергией управления. Паразитные ёмкости позволяют оценить режим переключения и требования к драйверу.

Типовые применения: силовые ключи верхнего и нижнего плеча синхронных понижающих преобразователей, многофазные системы питания и VRM, портативные и промышленные модули DC-DC, системы управления аккумуляторами и схемы защиты силовых ключей.

При проектировании платы рекомендуется использовать медные площадки большой площади и переходные отверстия для отвода тепла. При работе с током, близким к номинальному Id, следует выполнить тепловое моделирование и предусмотреть снижение нагрузки. Для увеличения допустимого тока или уменьшения нагрева можно соединить несколько устройств параллельно, согласовав управление и разводку платы.

Для получения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором около 10V. В высокочастотных схемах следует учитывать влияние Crss и эффекта Миллера, подбирая сопротивление затвора и, при необходимости, демпфирующую RC-цепь. На уровне системы рекомендуется предусмотреть защиту от сверхтока и перегрева. Следует минимизировать длину и сопротивление цепи истока и земли, а также площадь контура возвратного тока.