XNRUSEMI XR2317L

Обзор XR2317L

Основные характеристики

XR2317L — P-канальный MOSFET с траншейной структурой и высокой плотностью ячеек в корпусе SOT-23-3L. Предназначен для маломощных ключей и переключателей нагрузки. Низкое сопротивление открытого канала и небольшой заряд затвора подходят для схем с ограниченной площадью платы и низким напряжением управления затвором.

Тип: P-канальный MOSFET, монолитный, количество: 1
Напряжение сток-исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 9 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 26 mΩ @ Vgs = -2.5 V
Рассеиваемая мощность Pd: 1.5 W
Пороговое напряжение Vgs(th): около 1 V
Полный заряд затвора Qg: 33.7 nC @ Vgs = 4.5 V
Входная ёмкость Ciss: 1.2 nF
Ёмкость обратной передачи Crss: 168 pF
Рабочий температурный диапазон: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-23-3L

Преимущества и типичные применения

Низкое сопротивление открытого канала (26 mΩ @ 2.5 V) помогает уменьшить потери проводимости в низковольтных переключателях нагрузки и цепях питания. Типичные применения:

• Высокобоковые переключатели нагрузки и защита от переполюсовки в системах управления питанием
• Переключение питания и управление горячим подключением в устройствах с батарейным питанием
• Компактные ключевые схемы в портативной, коммуникационной и потребительской электронике
• Защитные цепи низковольтного преобразования уровней и приводов двигателей, в качестве обходного или отключающего элемента

Рекомендации по проектированию

Управление затвором: для высокобокового ключа P-канального MOSFET можно использовать сравнительно простую схему управления. Учитывайте полярность и величину Vgs; для достижения указанного RDS(on) обеспечьте требуемое напряжение, например -2.5 V.

Потери при переключении: значения Qg = 33.7 nC и Ciss = 1.2 nF указывают на потребность в энергии управления при переключениях. Драйверу необходим соответствующий импульсный ток, чтобы контролировать скорость переключения, потери и электромагнитные помехи.

Тепловой режим: корпус SOT-23-3L, мощность Pd = 1.5 W. Допустимая мощность зависит от площади медных участков платы и условий охлаждения. Для отвода тепла увеличьте площади меди у стока и истока; используйте внутренние слои питания и земли.

Разводка: сокращайте длину проводников в цепях питания и применяйте обходные конденсаторы для снижения выбросов напряжения. Crss = 168 pF указывает на обратную связь при быстром переключении; учитывайте подавление звона и ложного срабатывания затвора.

Условия эксплуатации и надёжность

Рабочий температурный диапазон: -55 ℃ ~ +150 ℃. При высокой температуре RDS(on) возрастает, поэтому учитывайте запас в тепловом расчёте.

MOSFET чувствителен к статическому электричеству. При сборке и ручной пайке соблюдайте меры защиты от электростатического разряда.

При выборе для более высокого тока или меньшего сопротивления открытого канала оцените тепловые ограничения и допустимый длительный ток; при необходимости используйте корпус большего размера или параллельное включение.