XNRUSEMI XR150N06H

Обзор XR150N06H

XR150N06H — высокопроизводительный N-канальный MOSFET для силовых ключей высокой плотности и синхронных понижающих преобразователей. При напряжении сток-исток 60V обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокий непрерывный ток. Указана 100% гарантия стойкости к лавинной энергии и функциональная квалификация надёжности.

Основные параметры

Модель: XR150N06H
Напряжение сток-исток Vdss: 60 V
Непрерывный ток стока Id: 150 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 3.4 mΩ @ VGS = 10 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 108 W
Полный заряд затвора Qg: 90 nC @ VGS = 30 V
Входная ёмкость Ciss: 5.515 nF
Ёмкость обратной передачи Crss (Cgd): 343 pF
Рабочий температурный диапазон: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: TO-252-3L (DPAK)

Характеристики и применения

Низкое сопротивление открытого канала (3.4 mΩ @ 10 V) снижает потери проводимости и нагрев в силовых цепях класса 60V. Непрерывный ток 150 A подходит для мощных DC-DC преобразователей и модулей распределения питания. Устройство предназначено для синхронного выпрямления и эффективных преобразователей.

Заряд затвора Qg = 90 nC и входная ёмкость Ciss = 5.515 nF обеспечивают компромисс между скоростью переключения и электромагнитными помехами. Типичные применения:

• Верхний и нижний ключи синхронного понижающего преобразователя
• Выходные каскады источников питания серверов и коммуникационного оборудования
• Модули управления питанием и распределения электроэнергии (VRM/PMBus)
• Вспомогательные цепи приводов двигателей и переключатели нагрузки
• ИБП, солнечные инверторы и другие схемы переключения мощности

Корпус и тепловой режим

Корпус TO-252-3L (DPAK). Теплоотвод через площадку и медные участки платы существенно влияет на допустимую мощность. Значение Pd = 108 W зависит от условий охлаждения; учитывайте теплопроводность платы, тепловые переходы и радиатор, если он применяется. Увеличьте ширину и толщину меди у выводов, добавьте тепловые переходы к внутренним или нижним слоям. Сокращайте токовые петли, чтобы уменьшить индуктивность и контактное сопротивление.

Управление и переключение

Сопротивление RDS(on) задано при VGS = 10 V. Рекомендуемое напряжение управления составляет 10–12V; при более низком напряжении, например 6–8V, RDS(on) заметно увеличивается.

При Qg = 90 nC средний ток затвора зависит от частоты переключения. Для времени нарастания tr = 100 ns требуется импульсный ток около Qg/tr ≈ 0.9 A. Для быстрого переключения рекомендуется драйвер затвора с пиковым током ≥1 A. Более медленное переключение снижает электромагнитные помехи.

Обычно применяют последовательный резистор затвора 2–10 Ω, выбирая его с учётом скорости переключения и требований к электромагнитным помехам. Размещайте его между выходом драйвера и затвором для подавления звона и ограничения пикового тока.

При высоком dV/dt Crss = 343 pF вызывает обратную связь между затвором и стоком (эффект Миллера). Уменьшайте площадь петли связи; при необходимости применяйте демпфирование драйвера или RC-цепь подавления.

Надёжность и условия эксплуатации

Указана 100% гарантия стойкости к лавинной энергии. Это свойство подходит для коммутации индуктивной нагрузки и схем с возможными обратными выбросами энергии. Также указана функциональная квалификация надёжности.

При параллельном включении обеспечьте равномерное распределение тока и температуры. Сокращайте цепи истока и земли, оптимизируйте расположение силовых обходных конденсаторов для снижения выбросов и помех. Для повышенной температуры применяйте снижение допустимых нагрузок и соблюдайте предельную температуру перехода.