XNRUSEMI XR190N04T

XR190N04T — силовой MOSFET с N-каналом, одиночный.

Основные параметры: корпус TO-220AB; напряжение сток–исток Vdss — 40 V; непрерывный ток стока Id — 190 A; сопротивление открытого канала RDS(on) — 2.7 mΩ при VGS = 10 V; максимальная рассеиваемая мощность Pd — 61 W при заданных условиях охлаждения; полный заряд затвора Qg — 80 nC при 20 V; входная ёмкость Ciss — 4.9 nF; ёмкость обратной передачи Crss — 317 pF; рабочая температура — от -55 ℃ до +150 ℃. Соответствует требованиям RoHS. Гарантирована 100% стойкость к энергии лавинного пробоя.

Низкое RDS(on) снижает потери проводимости. Ток Id 190 A и корпус TO-220AB подходят для мощных коммутационных цепей при надлежащем теплоотводе. Значения Ciss и Crss помогают оценить эффект Миллера, переходные процессы и требования к драйверу затвора.

Типичные применения: верхний или нижний ключ синхронного понижающего преобразователя (Buck); блоки питания серверов и телекоммуникационного оборудования; преобразователи point-of-load (POL); приводы двигателей, модули управления питанием и выпрямители.

Теплоотвод: Pd = 61 W указана при эффективном охлаждении. Рассчитывайте температуру перехода с учётом теплового сопротивления и способа охлаждения. Для получения номинального RDS(on) рекомендуется напряжение на затворе около 10 V. Для подавления звона и выбросов можно применить последовательный резистор затвора и, при необходимости, RC-цепь. Сокращайте площади контуров затвор–исток и силовой цепи, длину силовых дорожек и паразитную индуктивность. При высоком dV/dt учитывайте эффект Миллера. В цепях с обратным восстановлением или импульсными перенапряжениями предусмотрите защиту, плавный пуск, ограничение тока и защиту от перегрева.