XNRUSEMI XR90N04

XR90N04 — высокоплотный траншейный MOSFET с N-каналом, количество: 1. Оптимизирован для синхронных понижающих преобразователей и силовых ключей.

Основные параметры: напряжение сток–исток Vdss — 40 V; непрерывный ток стока Id — 90 A; сопротивление открытого канала RDS(on) — 4.5 mΩ при Vgs = 10 V; рассеиваемая мощность Pd — 60 W; пороговое напряжение Vgs(th) — 1.8 V; заряд затвора Qg — 59 nC при 20 V; входная ёмкость Ciss — 3.031 nF; ёмкость обратной передачи Crss — 179 pF; рабочая температура — от -55 ℃ до +150 ℃; корпус TO252-3L (DPAK). Соответствует требованиям RoHS. Гарантирована 100% стойкость к энергии лавинного пробоя (EAS).

Типичные применения: синхронные понижающие преобразователи в серверах, модулях питания и бытовой электронике; силовые ключи DC–DC; приводы двигателей и ключи нагрузки; системы управления питанием и силовые выпрямители.

Для получения номинального RDS(on) рекомендуется Vgs ≈ 10 V. При меньшем напряжении управления сопротивление открытого канала увеличивается. Значение Qg = 59 nC при 20 V требует драйвера с достаточной способностью заряжать и разряжать затвор. При высокоскоростной коммутации учитывайте эффект Миллера и электромагнитные помехи (EMI); для подавления звона могут потребоваться резистор затвора или демпфирующая цепь.

Корпус TO252-3L (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа. Для снижения теплового сопротивления переход–окружающая среда обеспечьте достаточную площадь контактной площадки и медного полигона. При Pd = 60 W требуется соответствующий теплоотвод платы: широкие силовые дорожки, переходные отверстия к медным слоям и короткие контуры больших токов. При высокой частоте или больших токах контролируйте температуру перехода расчётом и измерениями.

В системах с рабочим напряжением около 40 V или значительными импульсными перенапряжениями оцените запас по напряжению. В схемах с верхним ключом или полумостом учитывайте напряжение управления затвором и электрическую изоляцию. При высокой частоте коммутации учитывайте баланс потерь проводимости и переключения: низкое RDS(on) снижает потери проводимости, а Qg увеличивает потери на управление и переключение. Сокращайте путь возврата от истока MOSFET к драйверу, разделяйте силовую землю и землю сигналов, размещайте развязывающие конденсаторы рядом с компонентом для подавления выбросов напряжения.